BC856BM3T5G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC856BM3T5G

商品编码: BM0151092181
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-723
包装 : 
编带
重量 : 
0.3g
描述 : 
三极管(BJT) 265mW 65V 100mA PNP SOT-723
库存 :
8(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.304
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.304
--
500+
¥0.202
--
4000+
¥0.176
--
8000+
¥0.16
--
80000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC856BM3T5G参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)80V功率(Pd)265mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)150@10uA,5.0V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

BC856BM3T5G手册

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BC856BM3T5G概述

BC856BM3T5G 产品概述

产品名称: BC856BM3T5G
品牌: ON Semiconductor (安森美)
类型: PNP 晶体管
封装类型: SOT-723

1. 引言

BC856BM3T5G 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),专为各种电子应用而设计。由于其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,这款晶体管在低功耗、高频和低噪音的电子电路中表现出色。其紧凑的 SOT-723 封装使其适合表面贴装技术(SMT),在现代电子产品的小型化趋势下尤为受欢迎。

2. 电气特性

BC856BM3T5G 的关键电气参数如下:

  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA,这使得该晶体管能够满足多种负载要求。
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo): 65V,此特性确保晶体管在高压环境下稳健工作,适合多种直流电源应用。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 最大值650mV @ 5mA, 100mA,这在电源切换中非常重要,能有效提高系统的效率。
  • 截止电流 (ICBO): 最大值 15nA,显示出优良的漏电特性,适合用于低功耗应用。
  • 频率特性: 能够在高达100MHz的频率下正常工作,这一特性使其可以用于高频信号处理的应用。

3. 增益特性

BC856BM3T5G 的直流电流增益 (hFE) 在220以上 @ 2mA, 5V这表明其在常规操作下具有良好的增益特性。高hFE值意味着在较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流,使其在放大和开关应用中表现出色。

4. 功率和热特性

  • 最大功率: 265mW,适合低至中功率的应用场合。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,这一极宽的工作温度范围确保了在恶劣环境条件下的可靠性和稳定性。

5. 适用领域

BC856BM3T5G 被广泛应用于多种电子产品中,包括:

  • 音频放大器:其良好的频率特性和增益特性使其适合高保真音频电路。
  • 开关电路:能够用于低功率开关应用,提高系统的响应速度。
  • 传感器电路:在低功耗和高灵敏度的传感器应用中,BC856BM3T5G 显示出优秀的性能。
  • 数字信号处理:其高频特性使其可以在数字电路中进行高效信号处理。

6. 包装和安装

作为一款表面贴装型晶体管,BC856BM3T5G 采用 SOT-723 封装,其小体积和轻量化设计非常理想,适合自动化生产线的贴装工艺。这种封装形式使得在电子设备中进行空间优化成为可能,同时也降低了PCB的整体重量。

7. 结论

BC856BM3T5G PNP 晶体管是安森美推出的一款性能均衡的器件,凭借其高可靠性和优异的电气特性,能够满足现代电子设备对小型化、高效能和复杂性的需求。对于设计师而言,BC856BM3T5G 是实现各种低功耗、高增益和高频应用的理想选择。