晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 265mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 15nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: BC856BM3T5G
品牌: ON Semiconductor (安森美)
类型: PNP 晶体管
封装类型: SOT-723
BC856BM3T5G 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),专为各种电子应用而设计。由于其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,这款晶体管在低功耗、高频和低噪音的电子电路中表现出色。其紧凑的 SOT-723 封装使其适合表面贴装技术(SMT),在现代电子产品的小型化趋势下尤为受欢迎。
BC856BM3T5G 的关键电气参数如下:
BC856BM3T5G 的直流电流增益 (hFE) 在220以上 @ 2mA, 5V这表明其在常规操作下具有良好的增益特性。高hFE值意味着在较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流,使其在放大和开关应用中表现出色。
BC856BM3T5G 被广泛应用于多种电子产品中,包括:
作为一款表面贴装型晶体管,BC856BM3T5G 采用 SOT-723 封装,其小体积和轻量化设计非常理想,适合自动化生产线的贴装工艺。这种封装形式使得在电子设备中进行空间优化成为可能,同时也降低了PCB的整体重量。
BC856BM3T5G PNP 晶体管是安森美推出的一款性能均衡的器件,凭借其高可靠性和优异的电气特性,能够满足现代电子设备对小型化、高效能和复杂性的需求。对于设计师而言,BC856BM3T5G 是实现各种低功耗、高增益和高频应用的理想选择。