IRLMS6802TRPBF 产品实物图片
IRLMS6802TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLMS6802TRPBF

商品编码: BM0153468262
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TSOP-6
包装 : 
编带
重量 : 
0.052g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 20V 5.6A 1个P沟道 SOT-23-6
库存 :
1857(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
1.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.57
--
100+
¥1.25
--
750+
¥1.12
--
1500+
¥1.06
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLMS6802TRPBF参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.6A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@4.5V,5.1A
功率(Pd)2W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16nC输入电容(Ciss@Vds)1.079nF
反向传输电容(Crss@Vds)152pF工作温度-55℃~+150℃

IRLMS6802TRPBF手册

IRLMS6802TRPBF概述

产品概述: IRLMS6802TRPBF MOSFET

1. 产品简介

IRLMS6802TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由知名的半导体制造商英飞凌 (Infineon) 提供。该 MOSFET 设计出色,具有低导通电阻和高漏极电流能力,广泛应用于各种电源管理和开关应用场合,尤其是在需要高效率和小型化设计的场合。

2. 基本参数

  • 类型: P 通道 MOSFET
  • 漏源电压 (Vdss): 20V
  • 连续漏极电流 (Id): 5.6A (于 25°C 环境温度下)
  • 驱动电压: 2.5V 至 4.5V 之间可实现最佳导通性能
  • 导通电阻 (Rds On) 最大值: 50 毫欧 @ 5.1A,Vgs = 4.5V

3. 电气特性

IRLMS6802TRPBF MOSFET 在不同工作条件下展示了出色的电气特性:

  • 阈值电压 (Vgs(th)) 最大值: 1.2V @ 250µA,确保低电压驱动的可靠性。
  • 传输特性: 在 Vgs ≥ 2.5V 时,器件可完全导通,确保了较低的功率损耗。
  • 栅极电荷 (Qg): 16nC @ 5V,表现出快速开关性能,非常适合高频应用。
  • 输入电容 (Ciss) 最大值: 1079pF @ 10V,有助于提供稳定的交流信号响应。

4. 功率处理能力

  • 最大功率耗散: 2W(于 25°C 环境下),适用于多数工业和消费类电子产品。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,确保在极端环境下保持稳定性能,适用于军工、航空及高温作业设备。

5. 封装与安装

IRLMS6802TRPBF MOSFET 采用表面贴装型封装(SOT-23-6),在节省空间的同时方便自动化贴装。其 Micro6™(TSOP-6)封装有助于提高电路板的集成度,使其适用于更紧凑的设计需求。

6. 应用领域

  1. 电源管理: 适合用于 DC-DC 转换器、线性稳压器、开关电源等应用,提高电能转换效率。
  2. 电动机驱动: 在电动机控制电路中,采用 MOSFET 进行驱动开关,有助于实现更高的响应速度和功率密度。
  3. 负载开关: 作为负载开关的控制元件,支持在低电流条件下简化电路设计。
  4. LED 驱动: 适用于 LED 照明系统中的调光和开关控制,提供稳定的电流输出。

7. 结论

IRLMS6802TRPBF MOSFET 是一款具有极高性价比的 P 通道器件,凭借其卓越的电气性能,广泛应用于现代电子电路中,从而满足了市场对高效、可靠和紧凑设计的需求。其独特的工作温度范围及低 Rds On 特性,也使其成为许多严苛环境下的理想选择。无论是在高频响应、能量转换效率还是空间节省方面,IRLMS6802TRPBF 都提供了出色的解决方案,是电源与开关管理领域的重要组成部分。