类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@4.5V,5.1A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.079nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 152pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
1. 产品简介
IRLMS6802TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET (金属氧化物场效应管),由知名的半导体制造商英飞凌 (Infineon) 提供。该 MOSFET 设计出色,具有低导通电阻和高漏极电流能力,广泛应用于各种电源管理和开关应用场合,尤其是在需要高效率和小型化设计的场合。
2. 基本参数
3. 电气特性
IRLMS6802TRPBF MOSFET 在不同工作条件下展示了出色的电气特性:
4. 功率处理能力
5. 封装与安装
IRLMS6802TRPBF MOSFET 采用表面贴装型封装(SOT-23-6),在节省空间的同时方便自动化贴装。其 Micro6™(TSOP-6)封装有助于提高电路板的集成度,使其适用于更紧凑的设计需求。
6. 应用领域
7. 结论
IRLMS6802TRPBF MOSFET 是一款具有极高性价比的 P 通道器件,凭借其卓越的电气性能,广泛应用于现代电子电路中,从而满足了市场对高效、可靠和紧凑设计的需求。其独特的工作温度范围及低 Rds On 特性,也使其成为许多严苛环境下的理想选择。无论是在高频响应、能量转换效率还是空间节省方面,IRLMS6802TRPBF 都提供了出色的解决方案,是电源与开关管理领域的重要组成部分。