DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7 产品概述

基本信息

DMG2302UKQ-7是一款由Diodes Incorporated制造的高效能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），设计专为汽车应用而生。该产品符合AEC-Q101标准，具备卓越的耐高温特性以及可靠性，适用于在严苛环境下工作，能够有效提升汽车电子设备的稳定性和安全性。其小巧的SOT-23封装极大地便利了表面贴装技术( SMT) 的实施。

产品特点

1. 电气性能：

   • 连续漏极电流：在25°C的环境温度下，DMG2302UKQ-7具备2.8A的连续漏极电流能力，确保其在多种负载条件下的可靠运行。
   • 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的漏源电压最高可达20V，适合在中低电压应用场合使用。
   • 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的栅极驱动电压下，DMG2302UKQ-7的最大导通电阻为90毫欧，能够显著减少功率损耗，从而提高整体系统的能效。

2. 温度范围：

   • 该MOSFET具备宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），可确保在不同气候和工作条件下的稳定性能，特别适合汽车应用，其在车辆工作环境中常常面临极端的温度变化。

3. 驱动电压：

   • 对于驱动电压，DMG2302UKQ-7在2.5V和4.5V条件下展现出优越的性能，适合各类驱动电路设计的灵活使用。

4. 栅极电荷特性：

   • 该产品在10V驱动下的最大栅极电荷（Qg)为2.8nC，具有较低的输入电容（Ciss最大值为130pF），可实现快速开关，减少开关损耗，适合高频应用和快速开关电路。

应用领域

DMG2302UKQ-7 MOSFET的特点使其非常适合以下应用场景：

• 汽车电子：可应用于电动助力转向系统、智能驾驶辅助系统（ADAS）、动力总成控制以及车载充电器等多种汽车电子设备。
• 开关电源：其低导通电阻和快速开关性能，使其在开关电源中成为理想选择。
• 负载开关：适用于负载切换控制，能够安全可靠地开关各种负载电流。
• 高频应用：凭借较低的栅极电荷及输入电容，DMG2302UKQ-7可广泛用于高频性能要求的应用。

技术参数一览

• 制造商：Diodes Incorporated
• 系列：Automotive, AEC-Q101
• 零件状态：有源
• FET类型：N通道 MOSFET
• 包装类型：卷带（TR）
• 最大连续漏电流：2.8A（Ta）
• 最大Rds(on)：90毫欧 @ 4.5V，3.6A
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大1V @ 250µA
• 最大栅极电压（Vgs）：±12V
• 最大功耗：660mW（Ta）
• 饱和电压：20V
• 温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装类型：SOT-23（TO-236-3，SC-59）

总结

DMG2302UKQ-7 N通道MOSFET以其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围和高效的导通性能，成为一款不可或缺的汽车电子元件。它已在设计中体现出低功耗、高效率和可靠性的需求，是各类电子系统中理想的选择。无论是在设计汽车应用，还是其他电子设备时，DMG2302UKQ-7均能够为提供优异的性能及可靠性。