类型 | NPN | 集射极击穿电压(Vceo) | 350V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 2000@2V,2A | 功率(Pd) | 100W |
集电极电流(Ic) | 4A | 集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 100uA |
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@2mA,2A |
2ST501T 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高性能 NPN 达林顿晶体管,具有优异的电气性能和可靠性。作为一种高功率晶体管,2ST501T 能够承受较大的集电极电流(Ic),其最大值可达 4A,同时集射极击穿电压也高达 350V,使其在高电压和大电流的应用环境下表现出色。
2ST501T 适用于多种高功率和高电压的应用场景,包括但不限于:
在使用 2ST501T 时,设计工程师需要注意以下几个参数,以确保其长时间稳定运行:
2ST501T 是一款具有出色性能的 NPN 达林顿晶体管,适合多种高功率和高电压应用。其高电流增益、较宽的工作温度范围和优秀的散热能力使其成为电子工程师在设计电源和驱动电路时的理想选择。通过合理的设计考虑和适当的应用,2ST501T 可以为系统的效率和稳定性提供有力保障,满足现代电子产品对性能和可靠性的严格要求。