类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 2.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.293nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 64.7pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
DMPH6050SFGQ-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 P 通道 MOSFET,旨在满足各种汽车应用的严格要求。该产品符合 AEC-Q101 认证标准,确保其在苛刻环境下的可靠性和稳定性。其独特的设计和高规格使其适用于功率管理、电源转换和各种电机控制等领域。
漏极电流能力:在 25°C 的环境下,该 MOSFET 具有高达 6.1A 的连续漏极电流能力,且在较高温度下(Tc)则可达到 18A,使其能够处理较高的负载电流。
低导通电阻:在通过 10V Vgs 驱动下,DMPH6050SFGQ-7 的导通电阻最大约为 50 毫欧(@ 7A),这在提高效率、降低功耗的应用中具有显著优势。
宽工作温度范围:其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,赋予了这款产品在极端条件下的广泛适用性,适合高温和低温环境。
优良的电气特性:
耐压能力:该 MOSFET 的漏源电压 (Vdss) 最大可达 60V,提升了其在较高电压应用中的可靠性。
功率耗散能力:该器件的最大功率耗散为 1.2W(Ta),能在较高功率下持久运行。
小型封装设计:DMPH6050SFGQ-7 采用 PowerDI3333-8 封装,该封装具备紧凑和高效的散热能力,减少了在PCB上占用的空间。
DMPH6050SFGQ-7 适用于如下领域:
DMPH6050SFGQ-7 是一款性能优越、可靠性高的 P 通道 MOSFET,凭借其优良的电气参数和广泛的工作温度范围,适用于多种高要求的汽车和工业应用。其低导通电阻与高耐压特性,为提升系统效率提供了强有力的支持,成为设计工程师在选择功率元件时的理想选择。