DMPH6050SFGQ-7 产品实物图片
DMPH6050SFGQ-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMPH6050SFGQ-7

商品编码: BM0166521608
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 6.1A;18A 1个P沟道 PowerDI3333-8
库存 :
1975(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.27
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.27
--
100+
¥1.75
--
1000+
¥1.51
--
2000+
¥1.45
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMPH6050SFGQ-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,7A
功率(Pd)2.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24.1nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.293nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)64.7pF@30V工作温度-55℃~+175℃

DMPH6050SFGQ-7手册

DMPH6050SFGQ-7概述

DMPH6050SFGQ-7 产品概述

概述

DMPH6050SFGQ-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 P 通道 MOSFET,旨在满足各种汽车应用的严格要求。该产品符合 AEC-Q101 认证标准,确保其在苛刻环境下的可靠性和稳定性。其独特的设计和高规格使其适用于功率管理、电源转换和各种电机控制等领域。

主要特性

  1. 漏极电流能力:在 25°C 的环境下,该 MOSFET 具有高达 6.1A 的连续漏极电流能力,且在较高温度下(Tc)则可达到 18A,使其能够处理较高的负载电流。

  2. 低导通电阻:在通过 10V Vgs 驱动下,DMPH6050SFGQ-7 的导通电阻最大约为 50 毫欧(@ 7A),这在提高效率、降低功耗的应用中具有显著优势。

  3. 宽工作温度范围:其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,赋予了这款产品在极端条件下的广泛适用性,适合高温和低温环境。

  4. 优良的电气特性

    • 栅极电荷 (Qg):最大值为 24.1nC(@ 10V),这一特性使得驱动电路设计更简便,降低了对驱动能力的要求。
    • 输入电容 (Ciss):在 30V 下,输入电容最大为 1.293nF,这一参数对于提高开关频率至关重要。
  5. 耐压能力:该 MOSFET 的漏源电压 (Vdss) 最大可达 60V,提升了其在较高电压应用中的可靠性。

  6. 功率耗散能力:该器件的最大功率耗散为 1.2W(Ta),能在较高功率下持久运行。

  7. 小型封装设计:DMPH6050SFGQ-7 采用 PowerDI3333-8 封装,该封装具备紧凑和高效的散热能力,减少了在PCB上占用的空间。

应用场景

DMPH6050SFGQ-7 适用于如下领域:

  • 汽车电子:适合用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统,如电池管理系统和电动助力转向系统。
  • 工业控制:适用于各类电机驱动方案和智能控制模块。
  • 消费电子:可以用于便携式电子设备的功率开关,优化电源效率。
  • LED 驱动:在 LED 照明系统中,作为开关元件,实现高效驱动。
  • 电源适配器:能用于直流-直流变换器和其他电源转换设备。

结论

DMPH6050SFGQ-7 是一款性能优越、可靠性高的 P 通道 MOSFET,凭借其优良的电气参数和广泛的工作温度范围,适用于多种高要求的汽车和工业应用。其低导通电阻与高耐压特性,为提升系统效率提供了强有力的支持,成为设计工程师在选择功率元件时的理想选择。