类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@10V,8.0A |
功率(Pd) | 2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@25uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@15V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF9362TRPBF是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),由著名半导体制造商英飞凌(Infineon)出品。该器件专为高效能和高可靠性的应用而设计,适合涉及功率管理和信号开关的多种领域。
FET 类型与功能: IRF9362TRPBF采用双P沟道配置,能够在各种逻辑电平下工作。这使得它在数字电路和模拟信号处理中的应用非常广泛。同时,其作为逻辑电平门的功能保证了在较低的栅极电压下也能实现有效的开关操作,适合用于低功耗设备和系统。
电气参数:
功率和散热能力: IRF9362的最大功率额定为2W,适合多种功率管理的应用场景。其在高达150°C的工作温度范围内运行,适应严苛的环境条件,这使得该器件能够在工业、汽车电子和消费电子等多种应用中脱颖而出。
电容特性:
封装和安装: IRF9362TRPBF封装为8-SOIC型(0.154",3.90mm宽),这一紧凑的表面贴装型设计适合各种自动化焊接流程,容易集成于现代PCB设计中,节省了空间并提高了整体的系统集成度。
IRF9362TRPBF因其独特的性能参数及高可靠性,广泛应用于以下领域:
综上所述,IRF9362TRPBF以其出色的电气性能、良好的热管理能力和适应多种工作条件的能力,成为现代电子设计领域的理想选择。无论在工业设备还是消费产品中,其优化的电能传递和开关能力都能为设计师提供更大的便利和效益。