类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 27A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,22A |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 22nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.241nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3028LK3-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET。作为一款重要的电子元器件,DMP3028LK3-13 采用了先进的金属氧化物半导体技术(MOSFET),具有卓越的电气特性和广泛的应用场景,适用于电力转换、开关电源、马达驱动及其他高效能电源管理系统。
DMP3028LK3-13 的关键性能指标包括:
连续漏极电流 (Id):在 25°C 的环境温度下,DMP3028LK3-13 具有高达 27A 的连续漏极电流能力,这意味着该器件可以处理较高的负载电流,适合高功率应用。
漏源电压 (Vdss):该 MOSFET 的漏源最大电压可达到 30V,适合用于要求较低电压驱动的场合,确保设备安全运转。
导通电阻 (Rds(on)):在 Vgs 为 10V 时,DMP3028LK3-13 的最大导通电阻为 25 毫欧,这是一个相对较低的值,能够有效减小功耗并提升电路效率。
门极阈值电压 (Vgs(th)):最大 2.4V 的门极阈值电压使得 DMP3028LK3-13 可以实现较好的开关特性,提供灵活的驱动选择,适应多种应用需求。
栅极电荷 (Qg):本器件在 Vgs 为 10V 下的栅极电荷为 22nC,表明其开关过程中的驱动需求较低,这对于高频开关应用非常重要。
输入电容 (Ciss):在 Vds 为 15V 时,最大输入电容为 1241pF,反映出该 MOSFET 在开关时的响应速度和性能。
DMP3028LK3-13 的功率耗散能力为 1.6W(在环境温度 Ta 条件下),并且其工作温度范围宽广,可在 -55°C 至 150°C 的恶劣环境中稳定工作,使其适用于工业及汽车等特殊应用场合。
DMP3028LK3-13 采用 TO-252 封装,这种表面贴装式的设计使得器件能够有效利用 PCB 空间,提高了设备的集成度。TO-252-3 封装类型在散热和机械强度方面也表现出色,从而确保了器件在长时间运行下的可靠性。
由于其优越的电气性能和适应性,DMP3028LK3-13 被广泛应用于各类电源管理解决方案,包括:
开关电源:在 DC-DC 转换器及 AC-DC 供电中,DMP3028LK3-13 能够实现高效能的电力传递。
电机驱动:在马达控制电路中,该 MOSFET 可以担任开关元件,实现对电机的有效控制,适合用于家电和工业设备中。
功率管理:在电池供电的便携设备中,DMP3028LK3-13 可以作电源开关,以优化电池的使用效率。
汽车电子:在汽车的电源管理应用中,该 MOSFET 能够在高温及高电流环境下稳定操作,确保车辆电气系统的可靠性。
DMP3028LK3-13 是一颗高性能的 P 通道 MOSFET,凭借其优秀的电流承载能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围,成为多种电源管理和开关应用的理想选择。凭借 Diodes Incorporated 的品牌信誉与技术支持,这款 MOSFET 在市场中得到广泛认可和应用,是追求高效率和可靠性的电子设计师的优选器件。