晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 310mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
BC817-16Q-7-F 产品概述
BC817-16Q-7-F 是一款高性能的 NPN 晶体管,主要用于各种低功耗、低电流应用场景。作为面向绝大多数电子设备的理想选择,BC817-16Q-7-F 具备良好的性能特征,能够满足现代电子电路对高效能和高可靠性的需求。
BC817-16Q-7-F 的集电极电流(Ic)最大值为 500mA,这使得其适用于大多数中小功率的电子电路,如开关电源、功率放大器及线性放大器等。同时,其集射极击穿电压(Vceo_max)最大值为 45V,使得该晶体管能够支持较高电压的输入,确保器件在多种工作环境中的可靠运行。
在饱和工作状态下,BC817-16Q-7-F 的 Vce 饱和压降最大为 700mV(在 Ic 为 50mA 和 500mA 时),这意味着其在开启时的功耗较低,有助于提高电路的整体能效。其集电极截止电流(I_CBO_max)低至 100nA,进一步增强了其在静态条件下的效能。该器件的 DC 电流增益(hFE)在 Ic=100mA 和 Vce=1V 时最小为 100,表明该晶体管具有良好的放大特性。
BC817-16Q-7-F 具备高达 100MHz 的频率跃迁能力,使其在高速开关应用中表现出色。适用于感应式和 PWM 控制应用,能够满足信号频率较高的需求,特别是在射频电子设备和高速数字电路中的应用。
该器件的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,满足了各种严酷环境下的工作要求。BC817-16Q-7-F 可以在极端气候条件下稳定运行,适合航空航天、军事和汽车电子等应用。
BC817-16Q-7-F 采用 SOT-23 封装,这是一种广泛应用于表面贴装技术(SMT)的封装类型。SOT23 脚距小、空间利用率高,适合于各种紧凑型电路板设计,能够有效节省电路板空间并简化组装工艺。
凭借其卓越的性能参数,BC817-16Q-7-F 广泛应用于以下领域:
BC817-16Q-7-F 由 DIODES(美台)出品,该品牌在全球电子元件制造行业中享有盛名,以高质量、高性能的产品著称。DIODES 的严格质量管理体系确保了 BC817-16Q-7-F 的高可靠性和一致性,使其成为工程师和设计师的首选器件之一。
BC817-16Q-7-F 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,凭借其较低的功耗、高增益和良好的频率响应能力,适用于各种低功耗应用。无论是在工业、通信还是消费电子领域,该晶体管均可提供可靠的解决方案。选择 BC817-16Q-7-F,无疑将是您设计中实现高效能与稳定性的理想选择。