STD95N4F3

STD95N4F3 产品概述

一、产品基本信息

STD95N4F3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件具有许多优越的特性，使其在各种应用中表现出色。主要参数包括：漏源电压（Vdss）为 40V，连续漏极电流（Id）可达到 80A，散热能力出众且功率耗散可达到 110W。该 MOSFET 采用表面贴装技术，封装形式为 DPAK（TO-252-3）的结构设计，这种封装方式不仅提升了散热性能，也便于在现代电子电路中实现高密度安装。

二、主要技术参数

1. FET 类型: N 通道，表示其主要应用于负载驱动场合，并且具有较低的导通电阻。
2. 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），此技术使得器件具有快速开关特性与较低的栅极驱动功耗。
3. 漏源电压（Vdss）: 40V，适合用于中等电压的电源转换和负载控制。
4. 连续漏极电流（Id）: 80A（Tc），意味着该器件可以承受较大的负载，适合高功率应用。
5. 栅极驱动电压: 需要的驱动电压为 10V，工作于 10V 时的导通电阻（Rds On）最小值为仅 6.5 毫欧，当电流为 40A 时表现良好，允许高效的电能传输。
6. 最大 Vgs: ±20V，适合多种驱动电路，提供较大的灵活性。
7. 导通电阻（Rds On）: 在 40A 和 10V 的条件下，最大值为 6.5 毫欧，低导通电阻能显著降低功率损耗，有助于提高整体系统效率。
8. 栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动下，栅极电荷为 54nC，表示器件具有较快的开关能力，适合高频开关应用。
9. 输入电容（Ciss）: 最大值为 2200pF @ 25V，能够有效降低开关时的延时，提高动态响应速度。
10. 工作温度: -55°C 至 175°C，适合高温高可靠性的应用场合，增强了其在极端环境下的稳定性。
11. 功率耗散: 最大允许功率耗散为 110W（Tc），为设计提供了更大的设计余地。

三、应用场景

STD95N4F3 MOSFET 具有广泛的应用场景，适用于以下领域：

• 电源管理：可以用于开关电源转换器（SMPS），LED 驱动电源，以及电池管理系统。
• 电机控制：适合在直流电动机以及无刷电机驱动应用中实现高效驱动。
• 通信设备：用在需要快速开关响应的射频（RF）应用中，确保信号的完整性。
• 工业自动化：在工控设备中提供高效的负载驱动，确保设备的稳定运行。
• 汽车电子：在汽车电动驱动和能量管理系统中应用，可提供高耐温性能及良好的可靠性。

四、总结

STD95N4F3 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和坚固的结构设计，适合于各种高电流、高压和高频率的应用。其表面贴装的 DPAK 封装不仅提高了散热效率，也便于在现代电子产品中的集成与布局。无论是在电源管理、自动化设备，还是在严酷的工业和汽车环境中，STD95N4F3 都能提供出色的性能表现。