ZXMD63N03XTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZXMD63N03XTA

商品编码: BM0169024032
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
MSOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.04W 30V 2.3A 2个N沟道 MSOP-8
库存 :
686(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.08
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.08
--
1000+
¥1
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXMD63N03XTA参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)135mΩ@10V
功率(Pd)1.25W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)290pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@25V工作温度-55℃~+150℃

ZXMD63N03XTA手册

ZXMD63N03XTA概述

ZXMD63N03XTA 产品概述

概述

ZXMD63N03XTA 是一种高效能、双N通道场效应管(MOSFET),它专为需要高功率和良好热管理的电子应用而设计。该器件采用MSOP-8封装,提供了紧凑的尺寸和优良的电气性能,适合多种现代电子设计。

主要参数

  • 类型:双N通道MOSFET
  • 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id):最大值2.3A(在25°C环境下)
  • 导通电阻(最大值):135毫欧 @ 1.7A,10V
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大值1V @ 250µA(最小值)
  • 栅极电荷(Qg):最大值8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss):最大值290pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.04W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型:表面贴装型(MSOP-8)

应用领域

ZXMD63N03XTA广泛应用于各种消费电子产品、工业控制设备以及电源管理系统。由于其出色的热特性和高电流承载能力,该MOSFET可以在高效率开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和负载开关等应用中发挥重要作用。

设计优势

  1. 高导通性能:该器件的导通电阻(Rds(on))为135毫欧,极大的降低了在其运行过程中产生的热量,使得系统更为稳定,可靠性更高。
  2. 逻辑电平控制:ZXMD63N03XTA 的栅源阈值电压(Vgs(th))最大为1V,使其能够与大多数逻辑电平信号兼容,简化了设计的复杂性。
  3. 宽广的工作温度范围:器件能够在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作,适合在严苛环境中运行,提高了产品的适用性。
  4. 节省空间的封装:MSOP-8封装设计不仅有助于减少PCB面积,还方便自动化贴装,适合现代电子设备对小型化及高效性的要求。

封装信息

ZXMD63N03XTA采用串联MSOP-8封装,尤其适合紧凑型电路设计。该封装不仅提供了出色的电气性能,也具备较好的热导性,能够满足大功率应用的需求。同时,MSOP封装增加了焊盘布局的灵活性,有助于提高设备的整体性能和可靠性。

结论

ZXMD63N03XTA是市场上高性价比的双N通道MOSFET之一,凭借其优异的电气性能、逻辑电平兼容性以及广泛的应用范围,为电子设计工程师提供了一种理想的选择。无论是在消费电子还是工业应用中,ZXMD63N03XTA均能有效提升系统的可靠性和效率,是现代电子产品实现高效能的关键元器件之一。选择ZXMD63N03XTA,带来不仅是元件的优越性能,还有广泛的设计灵活性和市场信赖。