类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 135mΩ@10V |
功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 290pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXMD63N03XTA 是一种高效能、双N通道场效应管(MOSFET),它专为需要高功率和良好热管理的电子应用而设计。该器件采用MSOP-8封装,提供了紧凑的尺寸和优良的电气性能,适合多种现代电子设计。
ZXMD63N03XTA广泛应用于各种消费电子产品、工业控制设备以及电源管理系统。由于其出色的热特性和高电流承载能力,该MOSFET可以在高效率开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和负载开关等应用中发挥重要作用。
ZXMD63N03XTA采用串联MSOP-8封装,尤其适合紧凑型电路设计。该封装不仅提供了出色的电气性能,也具备较好的热导性,能够满足大功率应用的需求。同时,MSOP封装增加了焊盘布局的灵活性,有助于提高设备的整体性能和可靠性。
ZXMD63N03XTA是市场上高性价比的双N通道MOSFET之一,凭借其优异的电气性能、逻辑电平兼容性以及广泛的应用范围,为电子设计工程师提供了一种理想的选择。无论是在消费电子还是工业应用中,ZXMD63N03XTA均能有效提升系统的可靠性和效率,是现代电子产品实现高效能的关键元器件之一。选择ZXMD63N03XTA,带来不仅是元件的优越性能,还有广泛的设计灵活性和市场信赖。