类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V,7A |
功率(Pd) | 110W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 46nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.59nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 118pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
BUK6Y33-60PX是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能P通道MOSFET。该元件符合汽车电子和AEC-Q101标准,特别针对严苛环境下的应用场景,例如在温度波动较大、湿度变化频繁的条件下,确保其稳定性和可靠性。其卓越的参数使其成为电源管理和切换应用的理想选择。
额定电流与功率:
电气特性:
栅极驱动电压:
温度范围:
封装与安装类型:
BUK6Y33-60PX广泛应用于如下领域:
通过使用BUK6Y33-60PX,设计工程师可以获得以下优势:
BUK6Y33-60PX是Nexperia推出的一款高效、可靠的P通道MOSFET,具备优良的电气特性和广泛的应用场景。凭借优异的性能参数和良好的温度适应性,该元器件可以帮助工程师设计出能满足现代工业及消费电子产品需求的高效能电源系统。无论是在挑战性的汽车环境还是日常电子设备中,BUK6Y33-60PX均可成为值得信赖的解决方案。