SSM3K7002KF,LF

SSM3K7002KF,LF 产品概述

概述

SSM3K7002KF,LF 是一款由东芝公司（TOSHIBA）设计和制造的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它以 S-Mini TO-236-3(SOT-23-3) 封装形式呈现，具有优良的电气特性和广泛的应用适应性。该 MOSFET 主要应用于开关和放大电路，能够满足现代电子设备对功耗、体积和效率的严格要求。

技术参数

1. 导通电阻（Rds On）：

   • 在驱动电压 10V 和 100mA 的条件下，最大导通电阻为 1.5 欧姆，确保在开关应用中具有较小的功耗和热效应。
   • 该 MOSFET 在 4.5V 的驱动电压下也表现出优异的导通性能，适用于低电压驱动场合。

2. 漏极电流（Id）：

   • 该器件的连续漏极电流为 400mA，意味着在正常操作条件下，它可以承受相对较大的电流，有利于设计较高功率的电路。

3. 漏源电压（Vdss）：

   • 该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，使其适合多种移动电源和电源管理应用。

4. 输入电容（Ciss）：

   • 在 10V 时，输入电容的最大值为 40pF，表明器件的响应速度快，适合应用于高频电路中。

5. 栅极电荷（Qg）：

   • 在 4.5V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 0.6nC，使得 MOSFET 的切换速度快，特别适合需要快速开关的应用场景。

6. 工作温度范围：

   • SSM3K7002KF,LF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，体现了其在高温及严酷环境下良好的稳定性，适合在汽车电子、工业控制和消费电子中应用。

7. 功率耗散：

   • 器件的最大功率耗散为 270mW，意味着在设计电路时需要考虑器件的散热，确保在最大负载应用下的可靠性。

8. 阈值电压（Vgs(th)）：

   • 在 Id 为 250μA 时，其 Vgs(th) 最大值为 2.1V，确保其在低电压下的高稳定性，适合需要延长电池寿命的便携设备。

应用场景

SSM3K7002KF,LF 的特性使其成为理想的选择，广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：

• 移动设备：利用其低功耗特性和紧凑的封装，适合智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理和开关应用。
• 工业控制：在需要高温和高稳定性的环境中，例如自动化设备的马达驱动器和控制电路。
• 消费电子：广泛应用于家用电器和消费电子产品中，如音响、电视和灯光控制电路。
• 汽车电子：由于其耐高温性，多用于汽车的内部控制，电源管理和功率放大等功能。

总结

总之，SSM3K7002KF,LF 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、广泛的应用范围和可靠性，使其成为设计现代电子设备的理想选择。其具有的高效能和灵活性将助力工程师在产品设计中实现更高的性能指标，同时确保在各种工作环境下的长久稳定运行。