类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 27A;80A;15A;26A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@26A,10V;8.8mΩ@15A,10V |
功率(Pd) | 3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V;36nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 590pF@15V;2.41nF@15V |
HP8K24TB 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的高性能双N通道场效应管(MOSFET),其设计和制造旨在满足多种电子应用中对功率处理和开关控制的高要求。以下是 HP8K24TB 的详细产品概述。
HP8K24TB 是一款具有标准功能的双通道 N-沟道 MOSFET,专为复杂电子电路中的功率转换和开关操作而设计。该元器件采用了表面贴装技术(SMD),封装类型为 HSOP-8。这种紧凑的封装设计不仅有助于节省电路板空间,还能提高散热性能,确保在高负载和高温环境下的可靠性。
电压和电流特性:HP8K24TB 的漏源电压(Vdss)最大为 30V,能够支持多种低至中压应用。在25°C环境温度下,连续漏极电流(Id)为 15A,而在较高的散热条件下(Tc=25°C),该器件的电流能力可达到 27A。这种高度的电流承载能力使其特别适用于高功率电源和开关应用。
导通电阻:在15A和10V条件下,HP8K24TB 的导通电阻最大为 8.8mΩ,这意味着在进行高电流操作时损耗较低,有助于提升电源的整体效率。在26A和10V条件下,导通电阻进一步降低至3mΩ,进一步提高了电流通过时的效率。
栅极电压特性:该器件的阈值电压(Vgs(th))最大为2.5V,适合于低电压控制逻辑电路。它的栅极电荷(Qg)在10V下的最大值为10nC,特别适合高速开关应用,这对于减少开关损耗和提高效率至关重要。
输入电容:在最大输入电容条件下(Ciss),HP8K24TB 在15V时为590pF。这种特性使得在高频应用中能得到良好的开关性能,适用于高频开关电源和其他需要快速开关的电子设备。
热性能:该器件可在最高150°C的工作温度下稳定运行,这使其在多种恶劣工作条件下依然能够可靠运行,适合汽车、工业控制及消费类电子产品等应用场合。
HP8K24TB 的设计使其适合广泛的应用场景,包括:
开关电源(SMPS):在各种电源转换电路中,如DC-DC转换器和AC-DC适配器中,HP8K24TB 能够高效控制输出电压和电流,提升电源的整体效率和稳定性。
电机驱动:应用于步进电机和直流电机的驱动电路中,通过其优秀的电流特性,能够有效控制电机的启动、运行和停止过程,提升运动控制的精确性。
消费类电子:广泛应用于智能家居设备、LED灯驱动等轻工业产品中,作为开关元件实现高效率和可靠性的电源管理。
汽车电子:由于其高温和高电流能力,HP8K24TB 适合在汽车电气系统中使用,如自动控制系统和动力分配系统等。
综上所述,HP8K24TB 作为 ROHM 推出的一款高性能双N通道 MOSFET,凭借其卓越的电流和温度特性,为多种应用提供了强有力的支持。无论是高效的开关电源、精密的电机控制,还是对温度和电流有特殊需求的汽车电子应用,HP8K24TB 皆能提供极佳的性能表现,是工程师们在设计电路时值得优先考虑的器件。