晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 50@1mA,5V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTP5401GTA 是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),其设计和制造致力于满足各种电子电路的需求,特别适合在功率放大、开关和线性应用中使用。该元件由美台(DIODES)公司生产,采用了现代化的SOT-223封装,具有较小的体积和优异的散热性能,适用于空间有限的电路设计。
晶体管类型: ZXTP5401GTA 是PNP型晶体管,通常用于负电压驱动的电路中,能有效控制电流的流动,从而在开关和线性应用中得以广泛的应用。
电流和电压参数:
饱和压降和增益特性:
功率和频率:
工作温度:
ZXTP5401GTA采用SOT-223封装,尺寸小,适合表面贴装(SMD)技术,有效节省PCB的空间,同时也便于自动化生产。此外,该封装提供了良好的散热特性,使其在高功率工作的情况下仍能保持稳定的性能表现。
ZXTP5401GTA广泛应用于多种电子电路,例如:
ZXTP5401GTA是一款功能强大的PNP型晶体管,凭借其高性能参数和多元化的应用场景,适用于现代电子设计中的多种需求。它不仅提供了良好的电气性能和可靠性,还有助于优化电路设计,提升整体性能。通过选择ZXTP5401GTA,工程师们可以在设计中实现更高的效率和更大的灵活性,是任何追求高性能电子器件的设计师的理想选择。