类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 2.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 479pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 61pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 DMN3024SFG-7是一款高性能的N通道MOSFET,专为高效能和高密度应用而设计。此元器件采用现代金属氧化物半导体技术,拥有紧凑的PowerDI3333-8封装,使其在有限的空间内提供卓越的电流处理能力。本 MOSFET 的额定电压为30V,最大连续漏极电流为7.5A,展示出其在高电压和高电流环境下的稳定性能。
基本参数与特性 DMN3024SFG-7的技术参数在电子设计中极其重要,使其适用于广泛的应用场景。从漏源电压(Vdss)到驱动电压,本产品的设计旨在满足现代电子设备对功率与效率的严格要求。
热特性与功率处理 DMN3024SFG-7的功率耗散能力最大可达900mW,这为高功率应用提供了一定的安全余地。同时,该元件的工作温度范围极为宽泛,覆盖-55°C至150°C,确保其在各种恶劣环境下依然能够稳定运行。
封装与安装 DMN3024SFG-7采用了PowerDI3333-8的表面贴装型封装设计,提供了极高的电气性能和热导特性。这种封装设计不仅节省了板级空间,还简化了集成过程,适合现代的紧凑型电子设备设计。
应用场景 DMN3024SFG-7可广泛应用于以下领域:
总结 DMN3024SFG-7是DIODES(美台)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,它结合了优异的电流和电压处理能力,低导通电阻和宽温度操作范围,成为多种电气应用的理想选择。随着技术的不断进步和电子设备的小型化需求增长,DMN3024SFG-7的应用潜力巨大,必将在未来科技发展中发挥重要作用。