DMP3018SFV-13 产品概述
DMP3018SFV-13 是一款高性能 P 通道 MOSFET,专为要求高效能和高可靠性的应用而设计。其采用了先进的 MOSFET 技术,具有优良的电气特性和工作稳定性,特别适用于各种功率管理及开关应用。
1. 基本特性
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
- 封装: PowerDI3333-8,外形紧凑,便于表面贴装,符合现代电子设备对空间和重量的严格要求。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C,这使得 DMP3018SFV-13 能够在各种极端环境下正常工作,适合汽车、工业和航空等领域应用。
2. 电气性能
- 漏源电压(Vdss): 30V,适合12V及24V供电系统,确保设备在正常工作条件下的电压安全性。
- 连续漏极电流(Id): 25°C 时可提供11A 的连续电流, 而在结温 (Tc) 条件下最高可达35A,能够满足大功率应用的需求。
- 驱动电压: 该器件的最大 Rds On 驱动电压为4.5V,最小为10V,适用多种控制信号电压的情况。
- 导通电阻: 在10V Vgs 下,DMP3018SFV-13 的最大导通电阻 (Rds(on)) 为12毫欧 @ 11.5A。这一低电阻特性有助于降低功率损耗,提高效率。
3. 关键参数
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA,表明该 MOSFET 在较低的栅极电压下即可开启,适合低功耗驱动。
- 栅极电荷 (Qg): 在10V Vgs 时,其最大值为51nC,显示出快速开关能力,适用于高频开关应用。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为2147pF @ 15V,具有良好的输入特性,进一步增强了该器件的开关速率。
4. 功率管理与散热
- 功率耗散: DMP3018SFV-13 的最大功率耗散为1W(Ta),这使其对散热的要求相对简化,配置合适的散热设计可以确保器件的稳定运行。
- 散热特性: 由于采用 PowerDI3333-8 封装,该器件具有优秀的热管理性能,可以有效地保证超负荷工作条件下的温度稳定性。
5. 应用场景
得益于其优良的电气特性和强大的抗环境能力,DMP3018SFV-13 适合广泛的应用场景,包括但不限于:
- 电源管理: 在电源开关、DC-DC 转换器、功率供应和逆变器等设备中,作为主开关来提升系统的总体效率。
- 汽车电子: 适用于电机控制、灯光控制及其他功率开关应用。
- 工业设备: 在工业自动化及控制系统中,作为接口和驱动电路的重要组成部分。
6. 总结
DMP3018SFV-13 是一款高集成度、高效能的 P 通道 MOSFET,具有优良的电气特性及较宽的工作温度范围,能够满足多种应用的需求。随着对高效能功率管理器件的需求逐渐增加,该产品凭借其出色的低 Rds(on)、高耐压能力和适用的封装形式,成为广泛应用于现代电子系统的理想解决方案。