类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10.5nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 755pF@10V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMN3033LSNQ-7 是由知名制造商 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件采用 SC-59(TO-236-3/SOT-23-3)封装,适用于各种现代电子设备中的开关和放大应用。这款 MOSFET 的核心特性包括低导通电阻、高功率耗散能力以及广泛的工作温度范围,使其成为高效能电子设计的理想选择。
电流和功率:
电气特征:
驱动电压:
频率响应:
温度特性:
由于其卓越的性能,DMN3033LSNQ-7 广泛应用于多个领域:
DMN3033LSNQ-7 采用表面贴装型封装(SC-59),使它适合自动化贴装工艺和紧凑型电路设计。此外,该器件与众多常用的 PCB 设计兼容,方便开发者进行快速集成。
DMN3033LSNQ-7 是一款强大的 N 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围,成为了各种电子设计的理想选择。在开关电源、电机驱动和其他高性能电子应用中,该器件能够提供卓越的性能表现,帮助工程师设计出更为高效、可靠的电子产品。选择 DMN3033LSNQ-7,将为您的项目带来更高的可靠性和性能优化。