DMC25D1UVT-7
DMC25D1UVT-7参数
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 25V；12V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；3.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@400mA,4.5V |
| 功率(Pd) | 1.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 900pC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 27.6pF@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMC25D1UVT-7手册
DMC25D1UVT-7概述
DMC25D1UVT-7 产品概述
产品描述
DMC25D1UVT-7 是一款高性能场效应管（MOSFET），具有 N 沟道和 P 沟道的配置，适用于各种电子电路的开关和放大应用。该元器件采用先进的半导体技术制造，其主要特点包括较低的导通电阻、宽广的工作温度范围以及高效的功耗管理。这款 MOSFET 在表面贴装（SMD）设计中占据了显著的位置，主要封装为 TSOT-26，适合用于空间受限的应用场景。
关键参数
FET 类型: DMC25D1UVT-7 包含一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET，提供了灵活的电路设计选项，能够有效地进行电源管理和信号放大。
漏源电压（Vdss）: 该产品可在高达 25V 和 12V 的条件下安全操作，适合多种电源应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，N 沟道可承受高达 3.9A 的电流，而 P 沟道则可承受最高 500mA 的连续电流，适用于低电流和高电流的电路设计。
导通电阻（RDS(on)）: 在 Id 为 400mA 时，导通电阻最大为 4 欧姆（N 沟道），保证了低功耗与高效率的特性。
阈值电压（Vgs(th)）: N 沟道的阈值电压最大值为 1.5V (在 250µA 时），使其在低电平驱动信号下便能有效导通，从而提升了系统的灵活性。
栅极电荷 (Qg): 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷最大值为 0.9nC，有助于验证高效的开关操作，并减少驱动电路的能耗。
输入电容 (Ciss): 当 Vds 为 10V 时，输入电容最大可达到 27.6pF，较低的电容特性使得驱动电路的设计变得更加简单高效。
功率处理能力: 该 MOSFET 额定功率最大为 1.3W，适合低至中功率的应用，提供足够的功率处理能力以应对各种应用需求。
工作温度: DMC25D1UVT-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在各种严酷环境下的稳定性与可靠性。
安装类型及封装: 该产品以 TSOT-26 封装形式提供，适合表面贴装，方便自动化生产流程，适用于现代电子设备的紧凑设计。
应用场景
DMC25D1UVT-7 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统
- 电机驱动
- 家电控制
- 通信设备
- 手持设备
此外，由于其高电流处理能力和较低导通电阻，DMC25D1UVT-7 在高效能要求的应用中提供了卓越的性能。
结论
总体而言，DMC25D1UVT-7 是一款性能可靠、规格齐全的 MOSFET 产品，适用于多种电子应用。其优良的电气特性和适应广泛温度范围的能力使其成为工程师和设计师在现代电子设计中极佳的选择。无论是在功率管理、电源转换还是流量控制的场景中，DMC25D1UVT-7 都能够实现高效的性能输出，为最终产品提供稳定的电力支持。