晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 200mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,1.0V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1.0mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
DMMT3904WQ-7-F是一款高性能的NPN型晶体管,其设计方案以优越的电气特性和高可靠性为核心目标。该元器件适用于多种电子电路,尤其是在低功率应用中表现出色。采用SOT-363封装,使得DMMT3904WQ-7-F特别适合于空间受限的电路设计。
DMMT3904WQ-7-F采用SOT-363表面贴装封装,体积小巧,适合自动化生产。该封装不仅能够提升生产效率,还能在保证性能的前提下节省电路板的空间,使得更复杂的电路设计变得可行。
该型号晶体管广泛应用于各类电子设备中,例如:
其优越的频率响应和稳定性,使得DMMT3904WQ-7-F非常适合用于高速开关及放大电路,进一步增强了其在现代电子应用中的重要性。
DMMT3904WQ-7-F的使用场景通常可通过以下两种电路模式进行说明:
DMMT3904WQ-7-F元器件由DIODES(美台)公司生产,其产品可通过多个电子元器件分销商获取。这款晶体管因其优秀的性能及可靠性,已被广泛认可,并在全球市场得到积极应用。
DMMT3904WQ-7-F是一款集高性能、小型化及广泛适用性于一体的NPN型晶体管。其特点使其成为任何高度集成电子设计的理想选择,无论在通信、音频放大还是其他电子应用领域,DMMT3904WQ-7-F的表现均不容小觑。随着技术的不断发展与进步,该款晶体管必将在未来的电子设备中继续发挥出色的作用。