BSN20Q-7
BSN20Q-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 50V |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@10V,0.22A |
| 功率(Pd) | 600mW；920mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 40pF@10V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 3.3pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSN20Q-7手册
BSN20Q-7概述
BSN20Q-7 产品概述
一、引言
BSN20Q-7 是一款由美台 (DIODES) 提供的高性能 N 通道MOSFET（场效应管），其专为各种电子应用设计，特别是在需要高效率和较小封装的场合，BSN20Q-7 凭借其卓越的电气性能和紧凑的 SOT-23 封装，成为设计师的理想选择。
二、产品特点
高电压和电流处理能力： BSN20Q-7 的漏源电压 (Vdss) 为 50V，能够处理最多 500mA 的持续漏极电流 (Id)。这使其非常适合用于电源管理、开关电源和其他需要稳定电流和电压处理的场合。
低导通电阻 (Rds On)： 在 10V 的栅极驱动电压下，BSN20Q-7 的导通电阻最大值为 1.8 Ω（在 220mA Id 时），这一特性使得其在开关操作中拥有极低的功耗，从而提升了整体电路的能效，减少了热量生成。
广泛的栅极驱动电压范围： 该MOSFET在 4.5V 至 10V 的驱动电压下工作，能够确保其在多种条件下都能高效工作。此外，其最大栅极电压为±20V，增强了其在复杂电源应用中的适用性。
快速响应时间： BSN20Q-7 在 10V 的驱动电压下，栅极电荷 (Qg) 最大值为 0.8nC。这一快速响应特性对于高频操作和高开关速率的应用尤为重要，能够显著提高信号的切换效率。
小型表面贴装封装： 采用 SOT-23 封装的 BSN20Q-7 体积小巧，适合于现代电子设备，这使得其在空间受限的设计中表现出色，如移动设备、便携式电源等。
强大的功率管理能力： BSN20Q-7 的最大功耗为 600 mW (在环境温度 Ta 下) 和 920 mW (在壳体温度 Tc 下)，使其在对散热有严苛要求的电路设计中，依然能够保持稳定运行。
良好的输入特性： 在 10V 的旁路电压下，BSN20Q-7 的输入电容 (Ciss) 最大值仅为 40pF，这表明它的输入特性适合用于高速开关和低功耗电路的设计中。
三、应用领域
BSN20Q-7广泛应用于：
电源管理： 使其成为开关电源、DC-DC 转换器等设备中不可或缺的元件。
开关电路： 适用于高频开关电路和信号开关，能够有效提高电路的切换速度和效率。
电机驱动： 可用于小型电机驱动电路中，提供稳定的电流输出。
信号调理： 利用其快速的开关特性，BSN20Q-7可应用于模拟和数字电路中的信号调理。
四、总结
BSN20Q-7 不仅在电气性能上展现出了卓越的优势，而且其紧凑的 SOT-23 封装使得它在现代电子设计中具有广泛的适用性。无论是在电源管理、开关电路还是电机驱动应用中，BSN20Q-7 都是一款可靠且高效的 N 通道MOSFET。其高效率、低功耗和快速响应的特性使其在众多竞争产品中脱颖而出，是设计师在选择 MOSFET 时值得考虑的优质选择。