DDC114EH-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DDC114EH-7

商品编码: BM0177322057
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-563
库存 :
2560(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.478
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.478
--
200+
¥0.308
--
1500+
¥0.268
--
3000+
¥0.237
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDC114EH-7参数

晶体管类型2个NPN-预偏置集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)50mA功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.9V输出电压(VO(on)@Io/Ii)180mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

DDC114EH-7手册

DDC114EH-7概述

DDC114EH-7 产品概述

概述

DDC114EH-7 是一款由 DIODES(美台)公司推出的双 NPN 预偏置数字晶体管,具有高效能和优越的电气特性。该器件采用 SOT-563 封装,适合于表面贴装应用,能够有效满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。其设计特别适用于信号放大、开关电路以及其他数字电路的集成,广泛应用于消费类电子、通讯和工业控制系统。

主要特性

  1. 双 NPN 结构:DDC114EH-7 内含两个 NPN 晶体管,便于在电路设计中实现多种功能,如逻辑电平转换、信号放大和开关操作,简化电路设计并节省空间。

  2. 电流与电压性能:本产品的最大集电极电流(Ic)可达 100mA,而电压 - 集射极击穿(Vce)最大值可达到 50V,确保其在多个应用场景中的可靠性和稳定性。

  3. 直流电流增益 (hFE):在特定条件下(5mA,5V),该器件的 DC 电流增益(hFE)最小值达到 30,确保在低电流条件下仍可提供足够的增益。

  4. 低饱和压降:在 500µA 至 10mA 的范围内,Vce 饱和压降的最大值仅为 300mV,这意味着在实现开关操作时,功耗较低,效率较高。

  5. 功率处理能力:该晶体管的最大功率限制为 150mW,允许其在更高功率水平下进行可靠工作,适合用于各种小型功率放大和开关应用。

  6. 高频响应:具备高达 250MHz 的跃迁频率,使其适合用于高频率信号处理和高数据速率的应用环境,能够有效支持现代通信技术。

  7. 超低集电极电流截止:最大集电极截止电流仅为 500nA,允许在电源关闭或待机模式下极低的能耗,符合节能设计的需求。

应用场景

DDC114EH-7 的应用领域广泛,包括但不限于:

  • 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号处理和开关电路。
  • 通讯设备:路由器、交换机及其他网络设备中的数据传输信号增强与保护。
  • 工业控制系统:在自动化设备和传感器中,作为开关元件和信号调节器。
  • 汽车电子:在车载电子系统中,用于信号放大和开关控制。

封装与安装

DDC114EH-7 采用 SOT-563 表面贴装封装,尺寸小巧,便于在有限空间内安装。其优秀的热管理特性和电气连接设计能够提高线板的整体可靠性,降低产品的失败率。

结论

总的来说,DDC114EH-7 是一款高性能、便于集成的双 NPN 预偏置数字晶体管,适合各类低功耗、高频率应用的需求。其优异的电气特性和设计使其成为现代电子设备的理想选择,能够有效提升产品的整体性能,符合当今电子行业对高集成度和高效率的要求。