晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 50mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.9V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 180mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDC114EH-7 是一款由 DIODES(美台)公司推出的双 NPN 预偏置数字晶体管,具有高效能和优越的电气特性。该器件采用 SOT-563 封装,适合于表面贴装应用,能够有效满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。其设计特别适用于信号放大、开关电路以及其他数字电路的集成,广泛应用于消费类电子、通讯和工业控制系统。
双 NPN 结构:DDC114EH-7 内含两个 NPN 晶体管,便于在电路设计中实现多种功能,如逻辑电平转换、信号放大和开关操作,简化电路设计并节省空间。
电流与电压性能:本产品的最大集电极电流(Ic)可达 100mA,而电压 - 集射极击穿(Vce)最大值可达到 50V,确保其在多个应用场景中的可靠性和稳定性。
直流电流增益 (hFE):在特定条件下(5mA,5V),该器件的 DC 电流增益(hFE)最小值达到 30,确保在低电流条件下仍可提供足够的增益。
低饱和压降:在 500µA 至 10mA 的范围内,Vce 饱和压降的最大值仅为 300mV,这意味着在实现开关操作时,功耗较低,效率较高。
功率处理能力:该晶体管的最大功率限制为 150mW,允许其在更高功率水平下进行可靠工作,适合用于各种小型功率放大和开关应用。
高频响应:具备高达 250MHz 的跃迁频率,使其适合用于高频率信号处理和高数据速率的应用环境,能够有效支持现代通信技术。
超低集电极电流截止:最大集电极截止电流仅为 500nA,允许在电源关闭或待机模式下极低的能耗,符合节能设计的需求。
DDC114EH-7 的应用领域广泛,包括但不限于:
DDC114EH-7 采用 SOT-563 表面贴装封装,尺寸小巧,便于在有限空间内安装。其优秀的热管理特性和电气连接设计能够提高线板的整体可靠性,降低产品的失败率。
总的来说,DDC114EH-7 是一款高性能、便于集成的双 NPN 预偏置数字晶体管,适合各类低功耗、高频率应用的需求。其优异的电气特性和设计使其成为现代电子设备的理想选择,能够有效提升产品的整体性能,符合当今电子行业对高集成度和高效率的要求。