DMN2058UW-13

产品概述：DMN2058UW-13 N沟道MOSFET

一、产品介绍

DMN2058UW-13是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SOT-323封装，适用于多种电源管理和开关应用。该器件由著名品牌DIODES（美台）生产，因其优秀的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，广泛应用于电子设备的电源调节、电压转换及电机驱动等领域。

二、关键特性

1. 漏源电压：DMN2058UW-13的漏源电压（Vds）最高可达20V，使其适合于低到中压应用。

2. 连续漏极电流：在环境温度25°C时，该器件可承受最大3.5A的连续漏极电流（Id），确保在高效能下运行。

3. 驱动电压：该MOSFET在1.8V的驱动电压下能够实现最低的Rds(on)，而在10V时则能达到最佳导通状态，这使得该器件适合于各类驱动需求。

4. 导通电阻：在不同的Id和Vgs条件下，DMN2058UW-13的最大导通电阻（Rds(on)）为42毫欧（@3A，10V），这在降低功耗和提高效率方面表现出色。

5. 门极阈值电压：该器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V（@250µA），这是一个较低的值，有利于在低电压开关场景中使用。

6. 栅极电荷：在10V的Vgs下，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为7.7nC，表明其在驱动速度方面表现良好，适合于高频操作。

7. 输入电容：最大输入电容（Ciss）为281pF（@10V），为电路设计提供良好的匹配效果。

8. 功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为500mW，适合在小功率应用中使用。

9. 工作温度范围：DMN2058UW-13具备-55°C至150°C的优秀工作温度范围，保证在极端环境条件下的稳定性和可靠性。

10. 安装类型与封装：该器件为表面贴装型，SOT-323封装有助于用于紧凑型设计，方便在多种电路板上安装。

三、应用领域

DMN2058UW-13的多项优越特性使其广泛适用于多种应用场景，具体包括但不限于：

• 电源管理：在交流转直流（AC-DC）电源适配器、稳压电源等中进行高效开关控制。
• 电机驱动：适合用于直流电机和步进电机的驱动电路，提供高性能和低功耗的解决方案。
• LED驱动：在LED照明和显示器中应用，能够提供稳定的电流源。
• 信号转换：作为开关元件，在模拟和数字信号处理电路中也有广泛应用。

四、总结

DMN2058UW-13是一款表现优异的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性，适合现代电子产品设计的多种需求。无论是在电源管理、电动机控制，还是信号处理领域，DMN2058UW-13都能提供可靠的性能，满足高效率和低功耗的要求。作为DIODES（美台）品牌的产品，DMN2058UW-13展示了该公司在半导体市场中的创新能力和质量确保。无论是工程师还是设计师，都可以在其产品中找到合适的解决方案，从而推动技术的不断进步与应用的扩展。