EM6K1T2R

EM6K1T2R 产品概述

一、产品简介

EM6K1T2R 是一款高性能的双 N 通道场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商 ROHM（罗姆）出品。该器件专为满足现代电子应用中的高效能和高集成度需求而设计，特别适合于低电压、高速开关和逻辑电平驱动电路等场景。

二、基础参数

EM6K1T2R 的主要参数如下所示：

• 安装类型：表面贴装型 (SMD)
• 最大导通电阻：8 欧姆 @ 10mA，4V
• 最大连续漏极电流（Id）：100mA
• 工作温度范围：最高可达 150°C
• 漏源电压（Vdss）：30V
• FET 类型：双 N 通道（2 N-通道）
• 输入电容 (Ciss)：最大 13pF @ 5V
• 功率最大值：150mW
• 最大阈值电压（Vgs(th)）：1.5V @ 100µA

这些参数使得 EM6K1T2R 在各种应用中表现出色，能够在较广的工作温度范围内高效稳定地工作。

三、产品特性

1. 高集成度与紧凑封装： EM6K1T2R 使用 EMT6 封装，体积小巧，非常适合空间有限的应用场景。在许多现代电子设备中，尺寸的微型化是提高整体性能的关键，EM6K1T2R 的表面贴装特性也使其方便快速地集成到电路板中。

2. 低导通电阻： 该产品在额定条件下具有最大8欧姆的导通电阻，这意味着其在开关过程中消耗的功率损失较小，能够有效提高整体系统的能量效率。这一点在电池供电的设备中尤其重要，可以延长设备的使用寿命。

3. 广泛的电压和电流范围： 具备 30V 的漏源电压耐受能力和 100mA 的最大连续漏极电流，EM6K1T2R 不仅可满足低压应用的需求，还能够应对一定的中等电压应用，灵活适应不同的设计需求。

4. 快速开关特性： 最高可达 150mW 的功率处理能力和低输入电容 (Ciss) 使得该器件能够在高频率下快速切换，适合用于开关电源、LED 驱动、数模转换器等需要快速响应的应用场景。

5. 环境适应性： EM6K1T2R 能够在高达 150°C 的工作温度下维持良好性能，适合各种恶劣环境的工业应用。

四、应用领域

EM6K1T2R 的独特特性使其在多个领域表现出色，包括但不限于：

• 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑等，适合用于电源管理、信号切换等电路。
• 汽车电子：例如在车载电子控制单元（ECU）中用于驱动和控制传感器及执行器。
• 太阳能设备：用于高效的电源转换与管理，提升太阳能电池板的能量利用率。
• 工业控制：可用于各种工业设备和自动化系统中的开关应用，特别是在需要高温耐受的环境中。

五、总结

EM6K1T2R 是一款多功能、高性能的双 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高功率处理能力和广泛的工作温度范围，满足了各种现代电子应用的严苛要求。作为 ROHM（罗姆）推出的优质产品，EM6K1T2R 将为设计工程师提供更高的设计灵活性与可靠性，是许多电子设备中的理想选择。