类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 900V |
连续漏极电流(Id) | 40A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 99mΩ@20A,10V |
功率(Pd) | 446W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 89nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.26nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
STW40N90K5是一款高性能的N通道MOSFET,专为高压应用而设计。该器件具有优越的电气特性和热特性,广泛应用于电源开关、逆变器、DC-DC转换器以及其它需要高效率和高可靠性的电子电路中。作为意法半导体(STMicroelectronics)的一款重要产品,这款MOSFET在功率电路中展示了卓越的性能和应用灵活性。
此产品采用TO-247封装,适合高功率应用并提供良好的散热特性,以确保器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
STW40N90K5 MOSFET以其高压、高电流和低导通电阻的特点,使其在工作中表现出极高的效率。最大漏源电压900V和连续漏极电流40A的设计,使其能够应对各种工业电源和高功率设备所需的苛刻条件。
此外,该器件的导通电阻低至99毫欧,这意味着在导通状态下,流过 MOSFET 的电流带来的损耗极小,从而提高整体电路的能效。结合高功率耗散能力(最大446W),STW40N90K5可以在高负载情况下稳定运行,而不会因过热而出现失效。
STW40N90K5 MOSFET非常适合于以下应用场景:
STW40N90K5采用TO-247封装,适合通孔安装,允许更好的散热性能。该封装可以轻松集成到各种PCB设计中,确保极低的接触热阻,从而实现高效的热管理。这对于保证元器件在高功率应用中的稳定性和寿命至关重要。
STW40N90K5作为一款高性能的N通道MOSFET,以900V的高漏源电压、40A的高电流承载能力、超低导通电阻以及宽广的工作温度范围,适合于各类工业和消费级电子设备中的高功率应用。随着对能效和系统可靠性的日益关注,这款MOSFET凭借其出色的电气特性和热特性,成为了许多设计工程师优选的元器件之一。