类型 | PNP | 集射极击穿电压(Vceo) | 120V |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 3000@5V,1A | 功率(Pd) | 1.5W |
集电极电流(Ic) | 1A | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 2V@2A,2mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
ZXTP05120HFFTA 是一种高性能的 PNP 型达林顿晶体管,采用 SOT-23F 表面贴装封装,专为小型化和高效能应用设计。该器件的主要特点包括高电流增益、高击穿电压以及宽工作温度范围,使其成为电子电路设计中不可或缺的器件之一。
晶体管类型和构造: ZXTP05120HFFTA 属于 PNP 类型达林顿管,其设计旨在提供更高的电流增益(DC 电流增益 hFE 最小值为 3000)。达林顿结构本身具有优异的电流放大特性,允许设计师在较低的基极电流下控制较高的集电极电流,十分适合需要高放大倍数的应用场景。
电气规格:
频率特性:
温度范围:
封装和安装类型:
ZXTP05120HFFTA 适用于多个领域,包括但不限于:
ZXTP05120HFFTA 是一款功能强大的达林顿 PNP 晶体管,凭借其高电流增益、宽工作温度范围及卓越的电气性能,适合多种严苛应用。它的高可靠性、低功耗特点能够有效提升电子设备的整体性能,广泛适用于电源管理、信号处理及驱动电路等领域,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。