晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 4A |
集射极击穿电压(Vceo) | 140V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1A,5V | 特征频率(fT) | 150MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 20nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 175mV@3A,300mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DPLS4140E-13是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),具有优秀的电气特性和极大的应用灵活性。它的电流-集电极最大值为4A,电压-集射极击穿(最大值)为140V,彰显了其在需要高电流和高电压的电路设计中的出色表现。
DPLS4140E-13的电气特性非常适合用于功率开关和放大器应用。它在集电极电流(Ic)为300mA和3A时的饱和压降(Vce(sat))最大为360mV,这显示出其良好的饱和状态性能,能有效降低在开关操作过程中电能损耗。此外,其集电极截止电流(ICBO)仅为20nA,这一极低的漏电流意味着该晶体管在关闭状态下非常高效,不会对电路造成不必要的影响。
该型号的DC电流增益(hFE)在集电极电流为1A时的最小值为100,这为设计人员提供了稳健的增益特性,使其能够在许多典型应用场景中实现高效的信号放大和控制,这对驱动负载或用于模拟信号的应用至关重要。
DPLS4140E-13的工作温度范围从-55°C到150°C,意味着它能够在极端环境条件下正常工作,非常适合航空航天、汽车电子、工业控制等苛刻环境的应用。同时,其频率跃迁为150MHz,使得该晶体管在高频操作中维持良好的性能,适用于信号处理、开关调制等应用。
采用表面贴装型(SMD)封装的DPLS4140E-13(SOT-223封装)使得其在自动化生产线中的安装效率极高,其小巧的尺寸也有助于减少PCB布局的空间,符合现代电子设备对于小型化、轻量化的趋势。
DPLS4140E-13的多元化特性使其能够广泛应用于各类电路,包括但不限于:
综上所述,DPLS4140E-13是一款具有广泛适用性的PNP晶体管,其卓越的电气特性和良好的工作温度范围使其适合于多种行业的应用。无论是用于工业控制、消费电子产品还是特殊的航空航天设备,DPLS4140E-13都能够提供可靠的性能与高度的灵活性,为设计人员提供了更多的设计自由度和选择空间。选择DPLS4140E-13,您将获得一款具备高效率和高可靠性的优质元器件,助力您的电子设计达到新的高度。