晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 1W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@2mA,6V | 特征频率(fT) | 80MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DP0150BLP4-7B 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 PNP 雙極型晶体管(BJT),它专为需要低功耗和高频率性能的应用而设计。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,具有多种优异的电气特性,适合于广泛的电子电路中如放大器、开关电源和线性稳压器等。
晶体管类型: PNP
高增益:
低饱和压降:
高频性能:
宽工作温度范围:
低集电极截止电流:
较高的电压和电流承受能力:
封装与安装类型:
DP0150BLP4-7B 是一款多功能的 PNP 晶体管,适用于以下几种应用场景:
作为 Diodes Incorporated 的一款停产产品,DP0150BLP4-7B 凭借其出色的参数性能,适合多种高性能的电子应用。尽管该产品在市场上可能已经不再供应,但其设计和应用的理念仍然对后续产品的开发提供了有价值的参考。对于想要在电路设计中提高性能的工程师来说,了解其特性及应用场合是非常重要的。