
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2mA,6V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
DP0150BLP4-7B 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 PNP 雙極型晶体管(BJT),它专为需要低功耗和高频率性能的应用而设计。这款晶体管采用表面贴装型(SMD)封装,具有多种优异的电气特性,适合于广泛的电子电路中如放大器、开关电源和线性稳压器等。
晶体管类型: PNP
高增益:
低饱和压降:
高频性能:
宽工作温度范围:
低集电极截止电流:
较高的电压和电流承受能力:
封装与安装类型:
DP0150BLP4-7B 是一款多功能的 PNP 晶体管,适用于以下几种应用场景:
作为 Diodes Incorporated 的一款停产产品,DP0150BLP4-7B 凭借其出色的参数性能,适合多种高性能的电子应用。尽管该产品在市场上可能已经不再供应,但其设计和应用的理念仍然对后续产品的开发提供了有价值的参考。对于想要在电路设计中提高性能的工程师来说,了解其特性及应用场合是非常重要的。