DMN2075UDW-7

DMN2075UDW-7 产品概述

一、产品简介

DMN2075UDW-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为低电压、高效能应用而设计。它具有出色的导通性能和低开关损耗，使其在各种电子电路设计中成为理想选择。该器件采用 SOT-363 表面贴装封装，便于自动化生产和紧凑型电路板布局。

二、技术特点

1. FET 类型和技术：

   • DMN2075UDW-7 是一款 N 通道 MOSFET，采用金属氧化物技术制造，具备良好的导电性和开关速度。

2. 电压和电流特性：

   • 漏源电压 (Vdss): 最大可承受电压为 20V，适合低压应用。
   • 连续漏电流 (Id): 最高可达 2.8A（在 25°C 温度下），适用于大多数中小功率电路。

3. 导通电阻：

   • 在 4.5V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 48 毫欧（@ 3A），这一低阻值在工作期间有效降低了功耗及发热量，提高了系统效率。

4. 栅极驱动特性：

   • Vgs(th): 最大门源阈值电压为 1V @ 250µA，说明在低驱动电压时就能有效导通。
   • 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 7nC @ 4.5V，有利于提高开关速度，降低开关损耗。

5. 输入电容：

   • 输入电容 (Ciss) 最大为 594.3pF @ 10V，适合高频应用，确保快速的信号切换性能。

6. 功率和温度范围：

   • 最大功率耗散为 500mW，具备适应各种电源管理和信号处理应用的能力。
   • 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，确保在严酷环境下也能稳定工作。

7. 封装与安装：

   • DMN2075UDW-7 采用 SOT-363 封装，体积小巧，便于表面贴装，适合高密度电路板设计。

三、应用领域

DMN2075UDW-7 的技术特性使其适合于多种应用，包括但不限于：

• 电源管理：用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源电路，能够提高能效和降低发热。
• 负载开关：在电源控制电路中，做为电子开关控制负载的启停。
• 音频放大器：作为信号放大器的开关，以实现高效的信号调节。
• 汽车电子：在汽车电源管理和电子控制单元 (ECU) 中，确保在高温和负载波动环境下的稳定性。
• 家电产品：用于继电器控制和提升效率，如高效能的电动机驱动等。

四、总结

DMN2075UDW-7 是一款成本效益高、性能卓越的 N 通道 MOSFET，适合用于各种电子应用。其具有优良的电气特性、稳定的热性能以及紧凑的 SOT-363 封装，使其在现代电子设计中必不可少。在提升电路性能和效率的同时，该器件还能有效降低功耗，保证设备的长寿命和高可靠性。选择 DMN2075UDW-7，您的设计将会更具竞争力。