DMP32D9UDA-7B 产品实物图片
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DMP32D9UDA-7B

商品编码: BM0183300240
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08066
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1V@250uA 5Ω@100mA,4.5V 220mA 2个P沟道 X2-DFN0806-6
库存 :
9900(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.783
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.783
--
100+
¥0.54
--
500+
¥0.492
--
2500+
¥0.455
--
5000+
¥0.425
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP32D9UDA-7B参数

类型2个P沟道连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@100mA,4.5V阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMP32D9UDA-7B手册

DMP32D9UDA-7B概述

产品概述:DMP32D9UDA-7B

DMP32D9UDA-7B 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件供应商 DIODES(美台)生产,采用先进的制造工艺和封装技术,旨在满足现代电子设备中对高效能和小型化的要求。该器件特别适合用于电源管理、负载开关和模拟开关等多种应用场合。

结构与封装

DMP32D9UDA-7B 使用 X2-DFN0806-6 封装,无引线设计,提供出色的散热性能和电气连接性。该封装尺寸小巧,即使在空间受到限制的电路设计中,亦可轻松集成。这使得 DMP32D9UDA-7B 成为便携式设备、消费电子以及嵌入式系统的理想选择。

性能参数

在环境温度为 25°C 条件下,该器件的连续漏极电流(Id)达到 220mA,展现出良好的负载能力。DMP32D9UDA-7B 在 100mA 以及 4.5V 的偏置条件下,具有最大导通电阻(RDS(on))仅为 5 欧姆,这意味着在高负载条件下,器件能有效降低功耗和发热。此外,该器件在 250µA 的漏电流条件下,阈值电压(Vgs(th))最大值为 1V,确保其在精确控制的电流应用中具有较好的开关特性。

工作环境

DMP32D9UDA-7B 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,适用于苛刻的工作环境。这一特点使其特别适用于工业和汽车电子等领域,能够在高温和极低温的环境中依然稳定工作。这种卓越的温度性能,使得该元器件在各种历史和潜在的应用中拥有广泛的适应力。

应用场景

DMP32D9UDA-7B 的设计使其在多种应用中表现出色,包括但不限于:

  1. 电源管理电路:该器件能够用于电源供应中的低压降(LDO)调节,提供稳定的输出电流,确保系统正常运作。
  2. 负载开关:其优秀的开关特性使得 DMP32D9UDA-7B 可以高效控制各种负载,提升整体能源利用率。
  3. 高频开关:在需要快速开关的电子产品中,如无线通讯设备和RFID,DMP32D9UDA-7B 可以提供必要的响应速度和功率处理能力。
  4. 汽车电子:由于其高工作温度范围,以及良好的耐受性,该MOSFET可被广泛应用于汽车的各种控制电路中。
  5. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑及可穿戴设备中,也可以见到其身影,从而满足消费者对于小型化和高性能的需求。

结论

DMP32D9UDA-7B 作为一款双 P 沟道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装设计,是实现高效能和可靠性的关键组件。它的多功能性能使其适合多种市场应用,包括消费电子、汽车和工业控制等领域。无论是在高温还是低温环境下,DMP32D9UDA-7B 都能够稳定工作,为设计师提供了设计灵活性和电路稳定性,有助于推动现代电子产品的发展。