晶体管类型 | 1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@10mA,5V |
DDTA114YE-7-F是一款高性能PNP型数字晶体管,专为预偏置应用设计,广泛应用于数字电路中的开关和信号放大等场合。它以其低功耗、小体积以及良好的电气特性,成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。该产品采用SOT-523封装,极其适合表面贴装(SMT)技术,使得设计师能够在紧凑的电路板上实现更高的组件密度。
电流与电压参数:
电流增益:
饱和压降:
截止电流:
频率响应:
功率处理能力:
DDTA114YE-7-F晶体管广泛应用于以下领域:
在进行电路设计时,务必考虑DDTA114YE-7-F的参数限制,保证在最大集电极电流和击穿电压范围内安全运行。同时,通过适当选择基极电阻(R1=10kΩ)和发射极电阻(R2=47kΩ),确保晶体管在所需工作点的稳定性。
DDTA114YE-7-F数字晶体管凭借其诸多优点,特别是在功耗、体积和性能方面的优秀表现,适合在各种电子产品中使用。在现代电子设计中,它能有效地提高产品性能的同时保持较低的成本,使其成为设计师们在选择电子元器件时的优选。不论是在高频电路还是在低功耗设备中,该晶体管都能提供可靠的解决方案,助力创新电子产品的开发和应用。