SXTA42TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SXTA42TA

商品编码: BM0183300255
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 1W 300V 500mA NPN SOT-89
库存 :
3808(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.889
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.889
--
1000+
¥0.82
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

SXTA42TA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)300V功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@10mA,10V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@20mA,2mA
工作温度-65℃~+150℃

SXTA42TA手册

SXTA42TA概述

SXTA42TA 产品概述

SXTA42TA是美台(DIODES)公司推出的一款高性能NPN型三极管,它凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围,成为电子设计领域中一种理想的选择。这款三极管结合了高集电极电流能力(最大500 mA)、高集射极击穿电压(最大300 V)和宽工作温度范围(-65°C至150°C),在多种应用场景下表现优异。

主要特性

  1. 晶体管类型: SXTA42TA是一个NPN晶体管,这意味着它的电流流动是由多数载流子(电子)引导的,适合用于多种放大和开关电路中。

  2. 高集电极电流: 该晶体管的最大集电极电流(Ic)为500 mA,能够满足大多数低功耗设备的控制需求。其在饱和状态下的Vce(饱和压降)最大值为500 mV,适用于高流量应用,降低了功耗和热量产生。

  3. 高集射极击穿电压: SXTA42TA的最大击穿电压为300 V,意味着这款器件能够承受较高的电压瞬态,在安全和可靠性方面提供了有效保障,适合对电压抗扰性有高要求的电路设计。

  4. 低集电极电流截止: 该器件的集电极截止电流(ICBO)最大值为100 nA,确保在关闭状态下几乎不消耗电流,从而提高系统能效。

  5. DC电流增益(hFE): 按照不同的Ic(30 mA)和Vce(10 V)条件下,其最小DC电流增益为40。这一特性使得SXTA42TA适合用于信号放大应用,能够在较小的控制信号输入下实现较大的输出电流。

  6. 频率响应: 具有高达50 MHz的跃迁频率,SXTA42TA适合用于高频开关和放大电路,满足现代电子设备对快速响应的要求。

  7. 广泛的工作温度范围: 本款器件可以在-65°C至150°C的温度范围内可靠工作,适应复杂环境下的应用需求,特别是军工和航天领域。

  8. 封装形式: SXTA42TA采用SOT-89封装,具备小巧的体积和优良的散热性能,方便在各种电路板上进行表面贴装。

应用场景

SXTA42TA的多样化特性使其在多个领域内都有着广泛的应用,包括但不限于:

  • 消费电子: 在智能手机、平板电脑等设备中,作为信号放大器或开关使用,提供稳定的性能和高效率。
  • 汽车电子: 在汽车电气系统中进行功率放大和开关控制,确保设备能够在高温和电压波动条件下安全稳定地工作。
  • 工业控制: 在各种工业自动化控制系统中,它可以用来驱动继电器和电机,承担重要的控制功能。
  • 通信设备: 由于其高频响应能力,SXTA42TA可以用于无线通信和数据传输设备中,提高信号的传输效率。

总结

SXTA42TA作为一款优秀的NPN型晶体管,以其优异的电气特性和适应广泛应用需求的能力,成为很多设计工程师的首选。无论是在消费电子、汽车电子、工业控制亦或是通信领域,SXTA42TA都展现出卓越的性能和可靠性。凭借其具体的技术参数和灵活的应用场景,它为电子产品的设计和优化提供了无限可能,是推动创新和发展的重要力量。