晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 460mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 150@2.0A,2.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 135mV@2.0A,0.200A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
NSS40200LT1G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),主要用于高功率开关和信号放大应用。此产品具有优越的电气性能和宽广的工作温度范围,非常适合于各种电子设备需求。
电流和电压规格:
电流增益:
饱和压降:
频率特性:
温度范围:
NSS40200LT1G 作为一款PNP型三极管,其应用广泛,涵盖多个领域:
NSS40200LT1G采用SOT-23-3表面贴装封装,尺寸小巧,适合现代电子设备对紧凑设计的要求,便于自动化生产和安装,同时可节省PCB空间,提升布局灵活性。
综上所述,NSS40200LT1G是一款集高效、高性能于一体的PNP型三极管,凭借其良好的电流增益、低饱和压降和广泛的工作温度范围,满足了各种复杂应用的需求。无论在通信、工业控制、汽车电子还是消费类产品中,其广泛的适用性和可靠性使其成为设计者的首选元件之一。选择NSS40200LT1G,为您的设计提供强大的支持和保障。