SIRA00DP-T1-GE3

产品概述：SIRA00DP-T1-GE3 N通道MOSFET

概述： SIRA00DP-T1-GE3是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由VISHAY（威世）公司生产。此器件具有极低的导通电阻和高电流承载能力，专为需要高效能和高可靠性的应用设计。其独特的PowerPAK® SO-8封装使其在空间有限和散热要求严格的环境中脱颖而出，广泛适用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。

技术规格：

1. 基本参数：

   • FET类型：N通道
   • 技术：MOSFET
   • 漏源电压（Vdss）：30V，适合中低压应用
   • 连续漏极电流（Id）：100A，支持高电流负载
   • 驱动电压（Vgs）：4.5V 和 10V，支持多种驱动电压需求

2. 导通电阻：

   • 在10V的驱动电压下，导通电阻（Rds On）达到1毫欧 @ 20A，极低的电阻保证了高效率的电流传输，降低功耗并减少热量生成。

3. 开关特性：

   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值2.2V @ 250µA，确保MOSFET可以低门电压下有效导通。
   • 栅极电荷（Qg）：最大220nC @ 10V，表明MOSFET在开关过程中需要的栅极电荷相对较小，有助于提升开关频率，提高整体电路的效率和性能。

4. 电容特性：

   • 输入电容（Ciss）：最大11700pF @ 15V，提供了足够的电容，确保良好的高频性能和信号的稳定性。

5. 功率与散热：

   • 最大功耗：6.25W（环境温度Ta）和104W（结温Tc），这使得该器件在高功率密度应用中表现卓越。其出色的散热能力保证了在高温和高电流条件下的稳定工作。

6. 工作环境：

   • 工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），使得SIRA00DP-T1-GE3适合在极端环境下工作，适应性强。

7. 封装与安装：

   • 采用PowerPAK® SO-8封装，具有较小的占用空间和优异的热管理性能，方便表面贴装（SMD）应用，能够满足现代电子设备日益增加的集成度需求。

应用领域： 由于其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，SIRA00DP-T1-GE3适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 马达驱动与控制
• 逆变器与功率变换器
• 开关电源和DC-DC转换器
• 各类电源管理系统
• 汽车电子设备

总结： SIRA00DP-T1-GE3 N通道MOSFET凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的工作温度范围，成为电子设计工程师在高性能电源管理和驱动系统中的理想选择。其PowerPAK® SO-8封装使其在节省空间的同时保持出色的热管理性能，适合用于各种复杂的应用环境。因此，该MOSFET不仅满足现代电子产品对功率和效率的要求，同时也为设计师在产品设计和开发过程中提供了便利和多样化的解决方案。