类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 12.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 1.6W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25.1nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.415nF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
DMN3016LK3-13 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO-252 封装,专为各种电子设备中的开关和放大应用而设计。此器件由知名品牌 DIODES(美台)生产,具有高效、可靠和灵活的特点。其主要参数包括漏源电压(Vdss)为30V,连续漏极电流(Id)为12.4A,以及优越的导通电阻性能,适用于多个行业的广泛应用场合。
电压与电流能力:
导通电阻与功率损耗:
栅极电压与开关特性:
电容特性:
温度范围:
封装与安装类型:
DMN3016LK3-13 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
综上所述,DMN3016LK3-13 N 通道 MOSFET 拥有良好的电气性能和可靠的工作特性,能够满足现代电子产品的多样化和高性能需求。其卓越的导通电阻和宽广的工作温度范围使其成为电源管理、电机驱动及汽车电子等众多应用中的理想选择。无论在严酷的环境条件还是复杂的电路设计中,DMN3016LK3-13 都能提供稳定的性能,帮助设计工程师实现创新的产品解决方案。