类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@5A,10V |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.293nF@30V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
1. 产品简介
DMP6050SFG-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于各种电子设备中的功率管理和开关应用。该器件由领先的半导体制造商 DIODES(美台)设计与生产,以满足现代电子产品对高效率和低损耗的要求。具备 60V 额定漏源电压和 4.8A 连续漏极电流的特点,使其在很多应用中成为理想的选择。其紧凑的 PowerDI3333-8 封装设计不仅提高了散热效能,更使得在空间有限的电路板上使用变得更加灵活。
2. 主要规格
3. 应用领域
DMP6050SFG-7 可广泛应用于以下领域:
4. 性能优势
5. 结论
DMP6050SFG-7 P 通道 MOSFET 结合了高电压承受能力、低功耗特性与高温运行能力,成为了适用于各类电子设备中的一种重要元器件。凭借其出色的性能与广泛的应用潜力,该MOSFET 不仅为设计师提供了更多的设计选择,也为终端用户带来了更高效、更稳定的电子产品体验。无论是在汽车、工业还是消费电子领域,DMP6050SFG-7都能满足严苛的应用需求,是电子设计中不可或缺的关键元件。