类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 2.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,2.5A |
功率(Pd) | 1.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.9nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
ZXMN3A01E6TA 是由美台(Diodes Incorporated)制造的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。该部件采用SOT-23-6封装设计,专为需要小体积和高效能的电源管理和开关控制应用而设计。其关键参数表明,该MOSFET在高温和高电压环境下均能稳定工作,适合广泛的电子产品和电路设计。
ZXMN3A01E6TA 可用于广泛的应用场景,包括但不限于:
ZXMN3A01E6TA 采用SOT-23-6表面贴装型封装,易于在现代PCB设计中集成。其小巧的封装尺寸及良好的散热性能使得该器件可用于密集的元器件布置中,并能提升产品整体性能。
ZXMN3A01E6TA是一款强大而高效的N通道MOSFET,适合各种现代电子设备的电源管理需求。凭借其小封装、低导通电阻、高电流及广泛的工作温度范围,该设备适用于多种应用环境。美台(Diodes Incorporated)在半导体领域的专业知识和技术支持,确保了ZXMN3A01E6TA在长时间运行下的可靠性和稳定性,帮助电子工程师轻松应对更复杂的设计任务。无论是在消费电子、工业设备还是汽车应用中,ZXMN3A01E6TA均表现出色,为用户提供了优越的性能与效率。