类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 56mΩ@4.5V,2.8A |
功率(Pd) | 430mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 65.6pF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN2065UWQ-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),本器件由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)提供。它采用 SOT-323 封装,适用于各种表面贴装(SMD)应用。这款 MOSFET 的设计专注于提供高效能和小尺寸,适合各种移动设备和便携式电子产品。
DMN2065UWQ-7 的特性使其特别适用于以下领域:
DMN2065UWQ-7 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET,结合了高效率、可靠性和小型化设计,能够满足现代电子产品对高性能、低功耗和小尺寸的要求。凭借其广泛的适用场景和杰出的技术参数,DMN2065UWQ-7 是电子设计工程师在选择 MOSFET 解决方案时的理想选择。无论是用于电源管理、低功耗设备,还是在严苛的温度条件下,DMN2065UWQ-7 都能提供良好的性能表现,是支持创新设计的重要元器件。