DMN2065UWQ-7 产品实物图片
DMN2065UWQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN2065UWQ-7

商品编码: BM0185824285
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 20V 3.1A 1个N沟道 SOT-323
库存 :
3725(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.428
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.428
--
3000+
¥0.4
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN2065UWQ-7参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)430mW阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.4nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)400pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)65.6pF@10V工作温度-55℃~+150℃

DMN2065UWQ-7手册

DMN2065UWQ-7概述

产品概述:DMN2065UWQ-7 N 通道 MOSFET

一、产品简介

DMN2065UWQ-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),本器件由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)提供。它采用 SOT-323 封装,适用于各种表面贴装(SMD)应用。这款 MOSFET 的设计专注于提供高效能和小尺寸,适合各种移动设备和便携式电子产品。

二、关键参数

  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 最大连续漏极电流(Id):3.1A(在 25°C 环境温度下)
  • 导通电阻(Rds(on)):在 4.5V Vgs 条件下,最大值为 56 毫欧(在 2A Id 条件下)
  • 最大栅源电压(Vgs):±12V
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为 1V(在 250µA 条件下)
  • 输入电容(Ciss):最大值为 400pF(在 10V 条件下)
  • 栅极电荷(Qg):最大值为 5.4nC(在 4.5V 条件下)
  • 功率耗散(Pmax):700mW(在 25°C 环境下)
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C(结温 TJ)
  • 封装类型:SOT-323,SC-70

三、应用领域

DMN2065UWQ-7 的特性使其特别适用于以下领域:

  1. 电源管理:在 DC-DC 转换器、开关电源和其它电源管理应用中作为开关元件。
  2. 低功耗电子设备:由于其小尺寸封装和高电流处理能力,特别适合移动设备、可穿戴设备、传感器和智能家居产品。
  3. 电机驱动:可在小型电机驱动中使用,提供高效的开关行为。
  4. 音频放大器:在音频信号放大应用中作为开关元件,帮助提升音质。

四、产品优势

  1. 低导通电阻:DMN2065UWQ-7 提供低至 56 毫欧的导通电阻,从而显著减少通电时的功耗,提升能效。
  2. 高电流能力:最大连续漏极电流可达 3.1A,使其能够承受较高的负载电流,适应多种应用场景。
  3. 宽广的工作温度:支持从 -55°C 到 150°C 的极宽温度范围,确保在各种环境条件下均能稳定工作。
  4. 高频性能:其较小的输入电容(Ciss)和低的栅极电荷(Qg)使得 DMN2065UWQ-7 在高频应用中表现优越。

五、结论

DMN2065UWQ-7 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET,结合了高效率、可靠性和小型化设计,能够满足现代电子产品对高性能、低功耗和小尺寸的要求。凭借其广泛的适用场景和杰出的技术参数,DMN2065UWQ-7 是电子设计工程师在选择 MOSFET 解决方案时的理想选择。无论是用于电源管理、低功耗设备,还是在严苛的温度条件下,DMN2065UWQ-7 都能提供良好的性能表现,是支持创新设计的重要元器件。