类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 4.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,6A |
功率(Pd) | 1.7W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.1nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 620pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 62pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
**产品名称:**DMP3050LSS-13
**类型:**P沟道MOSFET
**封装:**SO-8
**品牌:**DIODES(美台)
DMP3050LSS-13 是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有出色的电流承载能力和极低的导通电阻,适用于多种电子电路和电源管理应用。其主要特点包括最大漏源电压(Vdss)为30V,最大连续漏极电流(Id)为4.8A,以及出色的功率耗散能力,使其在高温或高负载条件下工作稳定。
DMP3050LSS-13 的工作温度范围为 -55°C至150°C,满足了绝大多数工业和消费电子的严苛环境需求。器件采用表面贴装型(SMD),便于自动化贴片和焊接,有助于提升生产效率。
该 MOSFET 的特性使其广泛应用于以下领域:
DMP3050LSS-13 的封装为SO-8,尺寸为0.154英寸(3.90mm 宽),适合高密度电路板安装,具有良好的散热性能。其设计方便了多种应用场景中对空间和散热的要求。
DMP3050LSS-13 以其可靠的性能、优异的电气特性和广泛的应用适用性,成为设计工程师和电子制造商的重要选择。无论是在电源管理系统还是各种电子设备的电路设计中,它都能够为最终产品提供卓越的性能和稳定性。选择DMP3050LSS-13,您将为产品的性能打下坚实的基础。