集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@20mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTD113EC-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的数字晶体管,采用 NPN 结构,主要用于低功耗电子应用。其独特的预偏置设计使其在各种电气条件下都具有良好的性能表现。该晶体管具有较高的集电极电流和低饱和压降,能够满足多个领域的需求,从消费电子到工业控制等多个应用场景。
高效能与低功耗: DDTD113EC-7-F 的最大集电极电流为 500 mA,能够满足高功率输出的要求。而其低饱和压降设计,使得其功耗显著降低,特别适合低功耗电子设备。
快速响应与高频特性: 该晶体管的频率跃迁达到 200 MHz,使其在高频应用中表现出色,可以用于射频放大器和高速开关电路等。
优良的温度特性: 以较低的额定功率(200 mW)运行,适合在不同温度条件下操作,并在需要时能够实现高效率工作。
小型封装设计: 采用 SOT-23-3 封装,能够有效节约电路板空间,适用于空间受限的应用,如便携式电子设备、智能手机及计算机周边设备。
DTD113EC-7-F 适用于多个应用场景,包括但不限于:
在使用 DDTD113EC-7-F 时,设计师可参考以下几点建议:
偏置设计: 由于该元件为预偏置类型,设计时应考虑到基极电阻 R1(1 kΩ)和发射极电阻 R2(1 kΩ)的选择,以确保晶体管的正确工作点。
散热管理: 尽管极限功率为 200 mW,设计中应考虑适当的散热措施,确保其在高功率条件下的稳定性。
PCB 布局: 由于其小型封装,PCB 布局需要合理规划,避免信号干扰和保证电源完整性。此外,尽可能减小引线的电感,以提升高频性能。
总之,DTD113EC-7-F 是一款性能优良、适应性强的 NPN 数字晶体管,广泛适用于现代电子设备中的信号处理和开关应用。凭借其高效率、低功耗、快速反应及小型封装设计,已成为设计师在日常设计中的优选元件之一。