晶体管类型 | 1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@10mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.3V@3mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTA143FUA-7-F是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为低功耗应用而设计。它采用表面贴装(SMD)封装,尺寸小巧且易于集成,适合于各种电子设备的电路设计中。作为全球知名半导体供应商DIODES(美台)旗下的产品,这款晶体管具有优异的性能和可靠的制造质量。
DDTA143FUA-7-F的主要电气参数包括:
DDTA143FUA-7-F具有很多显著的优势:
DDTA143FUA-7-F可以广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:
DDTA143FUA-7-F作为PNP型晶体管,其工作原理是通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。当基极施加一个负电压时,晶体管将在饱和状态和截止状态间切换,从而实现信号的放大或开关控制。在电路设计中,通常需要正确选用基极和发射极的偏置电阻,以确保晶体管能够在最佳工作条件下运行。
设计电路时,常用的基极电阻(R1)为4.7 kOhms,发射极电阻(R2)为22 kOhms。这些电阻能够提供稳定的偏置,并保护器件在不同工作条件下的正常运行。
综上所述,DDTA143FUA-7-F是一款多功能、高性能且小型化的PNP数字晶体管,适合多种低功耗应用。凭借其优异的电气特性和广泛的应用领域,DDTA143FUA-7-F是现代电子产品设计的理想选择。无论是设计工程师还是产品开发人员,都可以通过选择DDTA143FUA-7-F来高效满足日益增长的市场需求。