集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 20mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 82@5mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.9V@10mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@10mA,0.5mA | 输入电阻 | 150mΩ |
电阻比率 | 1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、引言
DDTC115EUA-7-F 是一款数字晶体管,属于NPN类型,采用预偏压设计,专为高性能应用而设计。这款晶体管具有优良的电气特性和高频性能,广泛应用于消费电子、通信设备和其他电子产品中。本产品由DIODES(美台)制造,封装形式为SOT-323,适用于表面贴装,并且兼容多种电子设计。
二、产品主要参数
电流和电压特性
增益特性
饱和压降
频率特性
功率处理能力
三、封装与安装
DDTC115EUA-7-F采用SOT-323封装,适合表面贴装技术(SMT)。该封装小巧,便于在密集的PCB设计中使用。SOT-323的设计使其能够提供更好的热管理,并且可以在更高的集成度下工作,适用于小型电子设备。
四、应用场景
五、技术优势
六、结论
DDTC115EUA-7-F是一款具有优异性能的小功率NPN预偏置数字晶体管,适用于广泛的电子应用。凭借其高电流增益、低饱和压降、良好的频率响应及小巧的SOT-323封装,DDTC115EUA-7-F不仅为设计工程师提供了可靠的性能,还优化了空间利用率,符合现代电子设备发展的趋势。因此,该产品是现代电子设计中不可或缺的优质选择。