DDTC115EUA-7-F 产品实物图片
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DDTC115EUA-7-F

商品编码: BM0185824348
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.26
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.26
--
200+
¥0.167
--
1500+
¥0.146
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTC115EUA-7-F参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)20mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)82@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.9V@10mA,0.3V最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)1.1V@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA输入电阻150mΩ
电阻比率1工作温度-55℃~+150℃

DDTC115EUA-7-F手册

DDTC115EUA-7-F概述

产品概述:DDTC115EUA-7-F

一、引言
DDTC115EUA-7-F 是一款数字晶体管,属于NPN类型,采用预偏压设计,专为高性能应用而设计。这款晶体管具有优良的电气特性和高频性能,广泛应用于消费电子、通信设备和其他电子产品中。本产品由DIODES(美台)制造,封装形式为SOT-323,适用于表面贴装,并且兼容多种电子设计。

二、产品主要参数

  1. 电流和电压特性

    • 集电极电流 (Ic):最大值为100mA,能够处理适中电流的应用。
    • 集射极击穿电压 (Vce):额定最大值为50V,确保在高电压环境中稳定工作。
    • 集电极截止电流:最大值为500nA,表现出良好的漏电特性,有助于提高电路的整体效率。
  2. 增益特性

    • DC电流增益 (hFE):在Ic为5mA,Vce为5V时,最小增益为82,适合中高增益要求的设计。
  3. 饱和压降

    • 在Ib为250µA、Ic为5mA的条件下,最大饱和压降仅为300mV,这意味着在开关应用中能有效降低功耗,提高效率。
  4. 频率特性

    • 跃迁频率:可达250MHz,适合高速开关和高频应用的需求。
  5. 功率处理能力

    • 最大功率:200mW,能够满足大部分低功耗应用的需要。

三、封装与安装
DDTC115EUA-7-F采用SOT-323封装,适合表面贴装技术(SMT)。该封装小巧,便于在密集的PCB设计中使用。SOT-323的设计使其能够提供更好的热管理,并且可以在更高的集成度下工作,适用于小型电子设备。

四、应用场景

  1. 消费电子:如手机、平板电脑、数码相机等,DDTC115EUA-7-F可以用于信号放大、开关控制等模块。
  2. 通信设备:在无线发射和接收设备中,用于信号调制和解调。
  3. LED驱动电路:在LED照明和显示器中,作为开关元件,以确保高效的电力管理和亮度控制。
  4. 工业控制:该晶体管可用在各种工业自动化设备中,帮助信号放大和开关执行。

五、技术优势

  • 低功耗:该产品设计旨在降低功率损耗,使其在长时间运行时更具能效,特别适合电池驱动的设备。
  • 高频性能:满足现代电子设备对高频信号的处理需求,尤其在通信和射频应用中表现突出。
  • 高可靠性:其优良的电气性能和低截止电流特性,使得该晶体管在恶劣环境下仍能稳定工作,增强系统的可靠性。

六、结论
DDTC115EUA-7-F是一款具有优异性能的小功率NPN预偏置数字晶体管,适用于广泛的电子应用。凭借其高电流增益、低饱和压降、良好的频率响应及小巧的SOT-323封装,DDTC115EUA-7-F不仅为设计工程师提供了可靠的性能,还优化了空间利用率,符合现代电子设备发展的趋势。因此,该产品是现代电子设计中不可或缺的优质选择。