晶体管类型 | 1个PNP-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
DDTA114TE-7-F是一款高性能的数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)设计,封装规格为SOT-523。此器件由美台(DIODES)公司制造,专为现代电子应用提供卓越的性能,尤其适用于低功耗和高密度的电路设计。其主要特性包括PNP型预偏置结构、100mA的最大集电极电流、50V的集射极击穿电压、以及150mW的功率承受能力。这些性能使得DDTA114TE-7-F成为电子设备中理想的信号开关或放大器。
晶体管类型:DDTA114TE-7-F是一款PNP类型的预偏置晶体管,具有良好的线性和开关特性,使其在各种模拟和数字电路中表现优异。
电流承受能力:
电压特性:
增益特性:
频率特性:该晶体管的跃迁频率为250MHz,能够满足高频应用的需求,适合在高速开关和信号处理电路中使用。
功率能力:DDTA114TE-7-F的最大功率为150mW,保证了在高负载条件下的稳定性和可靠性,非常适合用于各种电源管理和开关电路中。
设计与封装:作为表面贴装型元器件,SOT-523封装适合当前主流的PCB设计,以极小的占用面积实现高效性能。同时,表面贴装设计便于自动化生产和集成,可以有效降低生产成本。
DDTA114TE-7-F广泛应用于以下领域:
DDTA114TE-7-F数字晶体管以其卓越的电性能、紧凑的表面贴装设计及美台的品牌信誉,成为电子设计工程师首选的元器件之一。无论是在提高电路的开关效率、降低能耗,或是提升信号处理能力方面,该产品均能提供优越的解决方案。作为现代电子设备中的关键组件,DDTA114TE-7-F无疑为众多应用提供了强有力的支持。