晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 3W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@500mA,2V | 特征频率(fT) | 175MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 430mV@3A,300mA |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FZT651QTA是一款高性能的NPN型晶体管,专为需要高电流和高电压应用而设计。其能够承受最大3A的集电极电流(Ic)和60V的集射极击穿电压(Vce),使其在广泛的电源管理和开关应用中表现出色。优越的电流增益和较低的饱和压降使其在高效能要求的场景中尤其受欢迎。
FZT651QTA广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理和信号放大等多个领域。以下是一些具体应用场景:
FZT651QTA由DIODES(美台)品牌生产,符合工业标准,并经过严格测试以确保质量和性能稳定。采购时,用户应选择受信赖的分销商以获得真实可靠的产品。
综上所述,FZT651QTA是一款功能强大、多用途的NPN晶体管,适合各种高电压高电流应用。它不仅具备优异的电气性能和温度适应能力,还能满足现代电子设备对高性能和小型化的要求。无论是在设计新项目还是在现有产品中更新优化,FZT651QTA都是理想的选择。