通道数 | 七路 | 集射击穿电压(Vceo) | 20V |
集电极电流(Ic) | 1A | 最大输入电压(VI) | 5.5V |
工作温度 | -40℃~+125℃ |
ULN2003V12T16-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 NPN 达林顿晶体管阵列,采用 16-TSSOP 表面贴装封装。这款元器件专为高电流驱动及开关应用设计,广泛应用于各种工业控制和电子设备中。达林顿结构的优势在于能够实现更高的集电极电流(Ic),同时提供较低的基极驱动电流(Ib),使其在设计中成为一种高效的解决方案。
ULN2003V12T16-13 的设计使其能够在较高的电流负载下稳定运行,其典型的饱和电压 (Vce(sat)) 使得元件在高电流作业时依然维持较低的功耗。这种特性使它特别适合驱动继电器、电机及各种高功率负载。
ULN2003V12T16-13 经过严格的可靠性测试,能够在极端环境下工作,适合各种工业及商业应用。其宽广的工作温度范围和低集电极电流截止特性,使其在高温、高湿等恶劣条件下依然保持优良的性能。
ULN2003V12T16-13 作为一款高效能的 NPN 达林顿晶体管阵列,不仅具备卓越的电流驱动能力和低功耗特性,还凭借其广泛的应用范围和高可靠性,在现代电子设计中占据一席之地。无论在自动化控制、家电设备,还是在 LED 驱动及其它领域,ULN2003V12T16-13 提供了一个优质的解决方案,支持设计师实现更高的设计效率与良好的运行稳定性。