类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 630mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@5V |
功率(Pd) | 820mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 740pC | 输入电容(Ciss@Vds) | 12.9pF@12V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.84pF@12V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:DMN61D8LVTQ-7
DMN61D8LVTQ-7 是一款高性能的双N沟道场效应晶体管(MOSFET),由知名电子元器件制造商DIODES(美台)生产。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为TSOT-26,适合现代电子产品中对空间和性能的高要求。其具有出色的导通性能和热稳定性,广泛应用于各种低功耗和高频率的电子电路中。
关键参数与应用
导通电阻与电流能力: DMN61D8LVTQ-7 在最大值为1.8Ω 的导通电阻条件下(在150mA和5V Vgs时),显示出优秀的导通性能,这对于高效电源开关和负载驱动应用尤为重要。同时,该器件能够支持高达630mA的连续漏电流(Id),意味着它可用于多个负载要求较高的电路,大大提高了其适用范围。
电压和功率处理能力: 该MOSFET的漏源电压(Vds)高达60V,适合用于中等电压的应用场合,能有效支撑各种电源管理和电机控制电路。此外,其最大功率可达820mW,确保在高功率操作时仍然能够维持稳定性能。
栅极电压与栅极电荷: DMN61D8LVTQ-7的阈值电压(Vgs(th))在1mA电流下最大值为2V。这表明该MOSFET适合逻辑电平驱动,方便与微控制器或其他逻辑电路直接配合工作。而其最大栅极电荷(Qg)为0.74nC @5V,优良的栅电荷特性使其在面对高频开关操作时,减少了驱动电路对电源的压力。
输入电容和高频特性: 在Vds条件下,其输入电容(Ciss)最大为12.9pF @ 12V,表明在高频应用下仍能有效减少信号损失,提升电路工作效率。这使得DMN61D8LVTQ-7在开关电源、DC-DC转换器及射频应用中表现出色。
温度范围: 该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内正常工作,使其在高温或低温环境下依旧稳定,特别适合用于严苛的工业和汽车应用。
应用领域
DMN61D8LVTQ-7适用于广泛的应用场合,包括但不限于:
结论
DMN61D8LVTQ-7以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围及符合逻辑电平的特性,成为了现代电子设计中的理想选择。无论是在家用电器、信息技术设备、汽车电子还是工业控制领域,它都是确保高效能和可靠性的出色解决方案。作为一款双N沟道MOSFET,DMN61D8LVTQ-7充分展现了DIODES(美台)在半导体技艺方面的领先地位及持续创新的决心,对工程师和设计师而言,提供了可靠的选择。