DMN2044UCB4-7

DMN2044UCB4-7 产品概述

一、产品简介

DMN2044UCB4-7是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），由美台（DIODES）公司生产。其主要特点为：最大漏源电压达到20V，持续漏极电流可达3.3A，并具有低导通电阻（Rds(on)）和较高的工作温度范围，使其在多种应用环境中都能保持卓越的性能。

二、主要参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 20V
• 25°C时电流 - 连续漏极（Id）: 3.3A
• 驱动电压（Vgs）: 最小1.5V，最大4.5V
• 导通电阻（Rds(on)）: 最大值40毫欧（在1.5A，4.5V时）
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值900mV（在250µA时）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值47nC（在8V时）
• 最大Vgs: ±8V
• 输入电容（Ciss）: 最大值1400pF（在10V时）
• 功率耗散（Pd）: 最大值720mW
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 封装类型: 表面贴装型（U-WLB1010-4）

三、应用领域

DMN2044UCB4-7因其高效能和广泛的工作条件适合多种电路设计应用，包括但不限于：

• DC-DC转换器: 由于其低电阻特点，高效能转换电能的需求使其成为理想选择。
• 电机驱动: 在电机控制电路中，DMN2044UCB4-7能够高效开关，降低热损耗。
• 电子负载与开关电路: 适用于需要迅速开关的高功率负载应用。
• 电源管理: 在现代电源控制系统中，以保证高效能和稳定性。

四、技术优势

1. 低导通电阻: DMN2044UCB4-7的导通电阻低至40毫欧，极大地减少了功率损耗，提升了整体系统的能效，特别适合需要大电流的应用。
2. 高电流处理能力: 连续漏极电流为3.3A，使其能胜任许多中等负载的应用。
3. 宽温度范围: 工作温度范围从-55°C至150°C，适应恶劣的工作环境，适合在高温或低温环境中使用的场合。
4. 有效驱动电压: 该MOSFET在1.5V至4.5V的驱动电压范围内都有较好的性能表现，为系统设计带来了灵活性。

五、封装与安装

DMN2044UCB4-7采用U-WLB1010-4表面贴装封装（4-UFBGA），这让它在现代电子设备中的集成和散热变得更加高效。表面贴装型设计还使其能够节省空间，适合于对面积有严格要求的电子产品。

六、总结

DMN2044UCB4-7是一款设计精良且高效能的N通道MOSFET，结合了多种优良特性，使其在电源管理、DC-DC转换器、电机驱动及多种开关电路中表现出色。凭借其宽广的工作温度范围和耐用的设计，DMN2044UCB4-7能够满足广泛的工业和消费电子应用需求。对于寻求高效能和可靠性的电子设计工程师来说，这是一个理想的选择。