类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 122mΩ@10V,3.3A |
功率(Pd) | 940mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.9nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 870.7pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 24.6pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN10H170SFG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,具备卓越的电流处理能力和功率损耗特性,适用于各种电子设备的开关和放大应用。这款器件采用 PowerDI-3333-8 表面贴装型封装,具有紧凑的尺寸和出色的热管理性能,非常适合现代电子产品的需求。
电流能力:
导通电阻(Rds(on)):
栅极驱动电压(Vgs):
阈值电压(Vgs(th)):
功率耗散:
工作温度:
电容量:
DMN10H170SFG-7 广泛应用于以下几个领域:
电源管理:
电机控制:
自动化设备:
消费类电子产品:
DMN10H170SFG-7 是一款高效能、高可靠性的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性,成为工程师和设计师在电子产品设计中的理想选择。其出色的导通电阻和开关能力,结合强大的功率处理能力,确保了在严苛环境下的稳定运行,将为各种应用提供重要支持。