BSS8402DWQ-7 产品概述
产品概述
BSS8402DWQ-7 是美台(DIODES)公司推出的一款小功率场效应管(MOSFET),它兼具高效能和灵活性,广泛应用于各种电子电路中。该器件采用紧凑的SOT-363表面贴装封装,适合于高密度的电路设计,能够在空间受限的情况下提供可靠的性能。
核心参数
- FET 类型:BSS8402DWQ-7 包含N沟道和P沟道选项,提供了灵活的选择以适配不同应用需求。
- 漏源电压(Vdss):该器件支持高达60V或50V的漏极至源极电压,确保在多种供电条件下均能稳定工作。
- 连续漏极电流(Id):其最大连续漏极电流为115mA(N沟道)和130mA(P沟道),确保了在较高负载条件下性能的可靠性。
- 导通电阻(Rds(on)):在不同漏极电流和栅极电压条件下,最大导通电阻为13.5Ω,至少在500mA的电流和10V的栅极电压下。这表明该器件在开态时呈现出良好的导电性,减少了功耗和发热。
- 阈值电压(Vgs(th)):该器件在250µA的测试条件下,最大阈值电压为2.5V,能够在较低的栅极电压下启动,增强了电路的简易性和效率。
- 输入电容(Ciss):在25V的工作条件下,其输入电容最大值为50pF,表明该器件具有较低的输入驱动要求,适合高频应用。
- 功率消耗:最大功耗为200mW,适合于多种低至中等功率的应用环境。
- 工作温度范围:该元件具有-55°C至150°C的广泛工作温度范围,适用于极端环境的多种应用条件。
固有特性与优势
BSS8402DWQ-7 的设计鼓励高效工作与低功耗特点,使其成为各种应用场景的理想选择。以下是该产品的一些显著优势:
- 高密度设计:SOT-363封装便利了在空间受限的电路设计中集成多种功能电子元件,适应不断增长的工业和消费电子市场对产品体积小型化的要求。
- 优异的热性能:该器件的工作温度范围宽广,支持在多种极端环境中稳定运行,减少了产品在高温或低温环境下失效的可能性。
- 低导通电阻:高效的导电能力降低了能耗,确保电路在高负载条件下运行的同时产生较少的热量,从而提高了可靠性。
- 灵活应用:适用的电压范围广泛,使得该MOSFET在驱动低功率电机、开关电源、照明和无线通讯设备等应用中表现出色。
应用领域
BSS8402DWQ-7广泛应用于以下几个领域:
- 自动化与控制系统:可用于各种传感器和执行器的驱动,支持高效的控制信号切换。
- 通信设备:在RF设备及其他无线通信模块中提供高效开关功能。
- 消费电子产品:用于家电、灯光控制系统和移动设备中,满足小型,低功耗的设计需求。
- 工业应用:在工业自动化和监控设备中,提供对负载的可靠驱动。
结论
BSS8402DWQ-7是一款高效、灵活且可靠的小功率MOSFET,凭借其出色的电气性能和宽广的应用适用性,已成为现代电子设计的关键元件之一。无论是在高密度电路设计、极端环境应用,还是低功率消耗需求的情况下,该器件均表现出色,是工程师的优选方案。