DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13 产品概述

产品简介

DMN4800LSSQ-13是一款高性能的N通道MOSFET场效应管，特意设计用于各种现代电子应用。这款器件的主要特点为其优异的电流处理能力和低导通电阻，使其在电源管理、开关电源和电机驱动等领域表现出色。针对苛刻的工作环境，DMN4800LSSQ-13的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保其在各种应用场景中的可靠性和耐久性。

主要规格

• 类型: N通道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 连续漏极电流（Id）: 8.6A (在25°C环境温度下)
• 导通电阻（Rds(on)）: 14毫欧 @ 10V 和 9A，显示出在高电流应用中的低损耗特性
• 驱动电压: 最小Rds(on)在4.5V和10V时达到最佳性能
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大1.6V @ 250μA，意味着在较低的栅极电压下，器件已经可以实现开启
• 栅极电荷（Qg）: 最大8.7nC @ 5V，保证了其快速开关能力
• 输入电容（Ciss）: 最大798pF @ 10V，帮助简化电路设计，并确保高频性能
• 功率耗散: 最大1.46W，在设计电路时需考虑的发热量
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适用于极端环境条件，并具有良好的热稳定性

封装和安装

DMN4800LSSQ-13采用SO-8 (表面贴装型)封装，尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），具有良好的电气性能和散热能力。该封装设计使得其适合于自动化生产和紧凑型电路板设计，优良的散热能力更为该器件提供了更大的设计灵活性，能够支持更高的功率负载。

应用领域

DMN4800LSSQ-13广泛应用于：

• 开关电源（SMPS）: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，适合用作开关元件，能够有效提升电源转换效率。
• 电机驱动: 可用于直流电机的驱动电路中，确保电机在高负载条件下的高效运行。
• 电池管理系统: 在充电和放电过程中，提供精确的控制和保护功能。
• 高频功率放大器: 在射频应用中，凭借其低电容特性，实现高性能的功率放大。

总结

DMN4800LSSQ-13以高效能和高可靠性赢得工程师选择，展现了在电源管理、开关电源和电机驱动等多种应用中的潜力。其卓越的技术指标和广泛的操作温度范围，使其成为现代电子产品开发中的理想选择。使用这种MOSFET，可以有效提高电子设备的性能，并实现功率损耗的显著下降，从而在各类电子设计中提升整体效能与稳定性。