晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 60@85mA,0.15V | 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
ZXTP4003GTA 是一款由 DIODES(美台)生产的普通双极型晶体管(BJT),采用SOT-223封装,主要用于电子电路中的信号放大和开关应用。该晶体管属于PNP类型,可以有效控制电流流动,适合各种低至中功率的电子设备。其高耐压和高电流增益特性使得ZXTP4003GTA在众多应用领域中展现出广泛的适用性。
ZXTP4003GTA的PNP结构能够在负电压环境中有效工作,这使得它非常适合用于负载的控制与调节。最大集电极电流为1A,为设计师提供了良好的电流处理能力,这对于中等负载的开关应用尤为重要。而其集射极的最大击穿电压可达到100V,这使得该器件在高电压环境中也能稳定运行,降低了电路设计中的风险。
此外,ZXTP4003GTA具有低集电极截止电流(50nA),表明它在关闭状态下几乎不会消耗电流,有助于提升系统的能效。这一点在待机功耗敏感的设备中尤其重要,例如便携式电子设备或其它需要延长电池寿命的应用。
ZXTP4003GTA适用于多种电子应用,包括但不限于:
ZXTP4003GTA凭借其优异的性能与广泛的应用场景,成为了设计师在选择PNP晶体管时的理想选择。其稳定的工作特性和高增益能力,使其在多种高要求应用中发光发热,尤其是在现代电子产品紧凑化与高效化的大趋势下,更加展现出重要的价值。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域,ZXTP4003GTA都将是一个可靠的解决方案。